[发明专利]一种硅料的铸锭方法

权利要求书

1.一种硅料的铸锭方法，其特征在于，包括

（1）配料，按冶金级硅与太阳能级硅的重量比4：8备料，其中太阳能级硅中包含2-5%总重量的细碎硅料；

（2）布料，将细碎太阳能级硅铺设在坩埚底部，将冶金级硅铺设在细碎硅料上面和坩埚侧面，形成“凹”形，在坩埚中间铺设剩余太阳能级硅料，并根据目标电阻率加入掺杂剂；

（3）加热，将装有上述原料的坩埚置于铸锭炉中进行抽真空加热，分阶段升温使上部和四周的硅料熔化，至熔化后期延长熔化时间，使底部硅料全部熔化，然后进入长晶阶段；

（4）长晶，在长晶阶段，分阶段降温，使晶体由下至上生长，待晶体长成后，经退火冷却得到硅锭。

2.根椐权利要求1所述的一种硅料的铸锭方法，其特征在于，所述太阳能级硅中的细碎硅料的最大尺寸为20mm。

3.根椐权利要求1所述的一种硅料的铸锭方法，其特征在于，所述的冶金级硅为长条形状，最少两个面平整，可稳定与底面及顶部冶金级硅相接触，底层与上层的冶金级硅之间的布置角度为90度，共计铺设三层冶金级硅，冶金级硅之间和冶金级硅与坩埚之间留有2～5cm间隙。

4.根椐权利要求1所述的一种硅料的铸锭方法，其特征在于，所述的加热工艺中硅料熔化温度为1410～1600℃。

5.根椐权利要求1所述的一种硅料的铸锭方法，其特征在于，所述的长晶工艺，先快速降温到1410～1500℃，同时将隔热笼以选定速度打开，底部散热实现定向凝固，控制长晶速率1.0～1.2cm/h，使晶体由下至上稳定生长。

6.根椐权利要求1所述的一种硅料的铸锭方法，其特征在于，所述的掺杂剂为硼、稼或磷，掺杂后的目标电阻率为1.0～3.0Ω·cm。