[发明专利]半导体装置及功率半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基台；

半导体元件，安装在所述基台上；

电极端子，与所述基台相隔开地设置；

连接构件，将所述半导体元件与所述电极端子连接，且在与所述半导体元件连接的一端部设置着多个贯通孔；及

接合件，介于所述半导体元件与所述连接构件之间，并且进入至所述多个贯通孔内。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述一端部的设置着所述多个贯通孔的区域的面积比所述半导体元件的与所述连接构件的连接面的面积大。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述连接构件包含从所述贯通孔的内壁向与所述半导体元件相反的一侧立起的突起；

所述接合件从所述贯通孔的所述半导体元件一侧进入到所述突起的位置为止。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：

由所述突起构成的开口的直径随着远离所述贯通孔而变窄。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述连接构件包含与所述电极端子的表面连接的第一面、及设置在所述第一面且与所述电极端子的侧面相邻接的第二面。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述电极端子包含所述连接构件的前端所碰触到的阶梯部。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述连接构件在所述一端部具有未设置所述贯通孔的平坦部。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述贯通孔的沿着所述一端部的主面的开口形状为圆形。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述贯通孔的沿着所述一端部的主面的开口形状为矩形。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于：

所述贯通孔包含向沿着所述主面的第一方向延伸的第一贯通部、及向相对于所述第一方向正交且沿着所述主面的所述第二方向延伸的第二贯通部。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于：

所述贯通孔设置成将所述第一贯通部及所述第二贯通部彼此的一端连接而成的L字型。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于：

所述多个贯通孔设置成大小各不相同的L字型。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述多个贯通孔在所述一端部设置成矩阵状。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

还包含设置在所述半导体元件的表面的保护用绝缘膜；

所述一端部由所述保护用绝缘膜来支承。

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于：

所述接合件设置在由所述保护用绝缘膜包围的区域内。

16.一种功率半导体装置，其特征在于，包括：

基台；

功率半导体元件，安装在所述基台上；

电极端子，与所述基台相隔开地设置；

连接构件，将所述功率半导体元件与所述电极端子连接，且在与所述功率半导体元件连接的一端部设置着多个贯通孔；

接合件，介于所述功率半导体元件与所述连接构件之间，并且进入至所述多个贯通孔内；及

密封构件，至少将所述功率半导体元件密封。