[发明专利]半导体装置及功率半导体装置

说明书

本申请基于且主张2010年9月22日申请的在先日本专利申请第2010-211910号的优先权，此申请案的全部内容以引用的方式并入本文。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种半导体装置及功率半导体装置。

背景技术

半导体装置包括：芯片状的半导体元件、将半导体元件密封的封装体及与半导体元件导通且从封装体的内部延伸到外部的电极端子。在封装体的内部，半导体元件与电极端子通过连接构件而连接。在这样的半导体装置中，例如为了应对大电流，使用将金属板加工成规定形状的零件作为连接构件。

然而，因为半导体元件的芯片尺寸有很多种，所以配合各个芯片尺寸来设计并制造最佳的连接构件会导致零件数的增加及制造成本的上升。

发明内容

本发明的实施方式提供能够以一种连接构件安装各种尺寸的半导体元件的半导体装置及功率半导体装置。

本实施方式的半导体装置包括：基台；半导体元件，安装在该基台上；电极端子，与基台相隔开地设置；连接构件，将半导体元件与电极端子连接；及接合件。连接构件中，在与半导体元件连接的一端部设置着多个贯通孔。另外，接合件介于半导体元件与连接构件之间，并且进入至多个贯通孔内。

另外，本实施方式的功率半导体装置包括：基台；功率半导体元件，安装在该基台上；电极端子，与基台相隔开地设置；连接构件，将功率半导体元件与电极端子连接；接合件；及密封构件。连接构件中，在与功率半导体元件连接的一端部设置着多个贯通孔。另外，接合件介于功率半导体元件与连接构件之间，并且进入至多个贯通孔内。另外，密封构件至少将功率半导体元件密封。

根据本发明的实施方式，可以提供能够以一种连接构件安装各种尺寸的半导体元件的半导体装置及功率半导体装置。

附图说明

图1是例示第一实施方式的半导体装置的结构的示意图。

图2是说明半导体元件的示意图。

图3是例示贯通孔的具体例的示意剖面图。

图4是例示贯通孔的具体例的示意剖面图。

图5是例示连接构件中未设置贯通孔的半导体装置的具体例的示意俯视图。

图6是例示连接构件中设置着贯通孔的半导体装置的具体例的示意俯视图。

图7是例示第二实施方式的半导体装置的结构的示意俯视图。

图8是例示第三实施方式的半导体装置的结构的示意俯视图。

图9是例示第四实施方式的半导体装置的结构的示意俯视图。

图10是例示第五实施方式的功率半导体装置的结构的示意图。

图11是说明连接构件及电极端子的变形例的示意图。

具体实施方式

以下，基于附图来说明本发明的实施方式。

另外，附图为示意性或概念性的图，各部分的厚度与宽度的关系、各部分之间的大小的比率等并不一定与实物相同。另外，即便在表示同一部分的情况下，也有时通过附图使彼此的尺寸或比率不同来表示。

另外，在本申请的说明书与各图中，对与已出现的图相关在前已经叙述过的要素相同的要素标注同一符号，并适当省略详细的说明。

(第一实施方式)

图1是例示第一实施方式的半导体装置的结构的示意图。

图1(a)是本实施方式的半导体装置的示意俯视图，图1(b)是图1(a)所示的A-A线向视的示意剖面图。

即，如图1(a)及(b)所示，本实施方式的半导体装置110包括基台10、半导体元件20、电极端子30A、连接构件40A、以及接合件51、52及53。

另外，本实施方式的说明中，将沿着基台10的主面10a的一方向称为X方向，将在沿着主面10a的方向上相对于X方向正交的方向称为Y方向，将相对于主面10a垂直的方向称为Z方向。

基台10为支承半导体元件20且进行电气连接的框架构件。基台10中例如使用了铜(Cu)。基台10包含安装半导体元件20的基座部11、及从基座部11延伸出的电极端子30C。在基座部11，经由例如焊锡即接合件51而连接着半导体元件20。

半导体元件20中形成着晶体管或二极管等有源元件、电阻器或电容器等无源元件。半导体元件20是将半导体基板切割所得且设置成芯片状。图1所例示的半导体元件20中，在背面及表面分别进行电气连接。此外，作为半导体元件20，也可以例如仅在表面进行电气连接。