[发明专利]四氟化硅的制备方法无效

专利信息
申请号: 201110280075.6 申请日: 2011-09-20
公开(公告)号: CN102351198A 公开(公告)日: 2012-02-15
发明(设计)人: 张月和;薛明;蔡春立;李青娟;李占良;孙仲刚;窦义虎 申请(专利权)人: 六九硅业有限公司
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 逯长明
地址: 071051 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 氟化 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明属于四氟化硅技术领域,尤其涉及一种四氟化硅的制备方法。

背景技术

四氟化硅,又叫四氟硅烷,英文名称为silicon tetrafluoride,分子式为SiF4,CAS登录号为7783-61-1。四氟化硅是一种无色、有毒、有刺激性臭味的气体,具有多种用途,除了用于氟硅酸和氟化铅的制取、水泥和人造大理石的硬化剂等,还可以用于电子和半导体行业,如用作氮化硅或硅化钽等的蚀刻剂、P型掺杂剂、外延沉积扩散硅源、制备电子级硅烷或硅等。

现有技术公开了多种四氟化硅的制备方法,其中,以萤石为主要原料制备SiF4是最原始的方法,该方法包括以下步骤:首先将萤石粉矿、浓硫酸和石英砂混合,在沙浴加热的条件下,萤石粉矿、浓硫酸和石英砂发生反应,反应式如下:

2CaF2+2H2SO4+SiO2==SiF4+2CaSO4+2H2O

反应完毕后用水将反应产物冷凝,再送入冰丙酮冷却的气体肼中除去其中的杂质HF,最后将得到的产物在密闭容器中升华或加压蒸馏纯化,得到高纯度SiF4。采用该方法制备SiF4,会产生大量氟化氢副产物,不仅增加了后续处理的难度、影响SiF4的纯度,而且严重腐蚀设备。另外,该方法以价格昂贵的萤石粉为原料,增加了生产成本。

现有技术也公开了一种以氟化氢和SiO2为原料反应制备SiF4的方法。利用氟化氢制备SiF4时,首先将氟化氢气体通入反应器底部,然后加入浓硫酸和二氧化硅,使二氧化硅分散于浓硫酸中与氟化氢发生反应,反应式如下:

4HF+SiO2==SiF4+2H2O

该方法直接以氟化氢气体为原料制备SiF4,氟化氢气体易混于得到的SiF4中,得到的SiF4纯度较低。公开号为CN101774587A的中国专利文献公开了一种四氟化硅的制备方法,包括以下步骤:将质量浓度为96%~98%的浓硫酸与质量浓度为50%~52%的氢氟酸预混合吸收,得到混合物A;将二氧化硅与质量浓度为80%~85%的浓硫酸预混合,得到混合物B;将混合物A和混合物B混合后搅拌反应,得到四氟化硅。但是,该方法不仅操作繁琐,不适于连续化生产,而且由于原料中水的含量较多,影响得到的SiF4纯度,其纯度一般在92%以下。

发明内容

有鉴于此,本发明要解决的技术问题在于提供一种四氟化硅的制备方法,本发明提供的制备方法操作简单,得到的SiF4纯度高。

本发明提供了一种四氟化硅的制备方法,包括以下步骤:

a)液态氟化氢与Si源在浓硫酸的作用下反应,得到四氟化硅。

优选的,所述步骤a)具体包括:

a1)将Si源与浓硫酸混合均匀;

a2)向所述步骤a1)得到的混合物中加入液态氟化氢,反应后得到四氟化硅。

优选的,所述步骤a1)具体包括:

将Si源与浓硫酸混合,混合均匀后进行加热。

优选的,所述加热的温度为60℃~120℃。

优选的,所述浓硫酸的浓度为80%以上。

优选的,所述Si源中的Si、浓硫酸与液态氟化氢的摩尔比为1∶(3~10)∶(1~5)。

优选的,所述反应的温度为60℃~120℃。

优选的,所述液态氟化氢按照以下方法制备:

含NaAlF4原料与硫酸反应,得到混合气体;

将所述混合气体提纯、液化后,得到液态氟化氢。

优选的,所述含NaAlF4原料中NaAlF4与硫酸的摩尔比为1∶(1~5)。

优选的,所述Si源为硅石粉和石英砂中的一种或两种。

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