[发明专利]TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板无效
| 申请号： | 201110280163.6 | 申请日： | 2011-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102299104A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 覃事建 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢涛;田夏 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tft 阵列 制作方法 | ||
1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
A、依次沉积金属薄膜、绝缘层和半导体层后，用构图方法制作栅线和栅极；
B、沉积绝缘层，用构图方法制作沟道区域保护层；
C、依次沉积掺杂半导体层、金属层，用构图方法形成源极、漏极和数据线，并切断掺杂半导体层及金属层形成通电沟道；
D、沉积ITO层，用构图方法使ITO层形成像素电极。
2.如权利要求1所述的一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述的步骤A中，先采用溅射法形成一层金属薄膜，再用气相沉积法在金属薄膜上依次沉积SiNx绝缘层和a-Si半导体层。
3.如权利要求2所述的一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述的步骤A中，通过光刻法作为构图方法形成栅线和栅极。
4.如权利要求1所述的一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤B中，所述绝缘层为SiNx层，所述的SiNx层通过气相沉积法在半导体层上沉积形成。
5.如权利要求4所述的一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述的步骤B中，通过光刻法作为构图方法形成TFT的沟道区域保护层。
6.如权利要求1所述的一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤C中，使用气相沉积法沉积N+a-Si形成掺杂半导体层，再用溅射法在该掺杂半导体层上沉积金属层。
7.如权利要求6所述的一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述的步骤C中，通过光刻法作为构图方法形成TFT的源极、漏极和数据线。
8.如权利要求6所述的一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述的步骤C中，通过干刻的方法切断掺杂半导体层形成通电沟道。
9.如权利要求1所述的一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤D中，所述ITO层是通过溅射法沉积形成的。
10.如权利要求9所述的一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述的步骤D中，通过光刻法作为构图方法使ITO层形成像素电极，并使像素电极与漏极相连接，并在数据线、源极和漏极上分别形成与之相同的图案的ITO层。
11.一种使用如权利要求1-10所述的TFT阵列基板的制作方法制成的TFT阵列基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110280163.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种气控卸灰阀
- 下一篇：电梯制动器静音运行控制电路
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
