[发明专利]TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，更具体的说，涉及-种液晶面板的TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板。

背景技术

LCD液晶面板是液晶显示器的重要组件之一，现有的TFT-LCD由于其功耗低，体积小，无辐射等优点，被广泛用于液晶显示器中。

液晶面板包括阵列基板和彩膜基板，液晶位于两者之间。目前，制作TFT阵列基板(TFT ARRAY基板)主要是通过构图工艺在玻璃基板上制作成结构所需要的图形，来形成TFT元件以及相应的布线。由于TFT元件及玻璃基板上的布线具有多层次，因而需要实施多次构图工艺才能完成阵列基板的制作，最初的阵列基板需要7次构图工艺才能完成阵列基板的制作，而现在，经过技术的发展和改善，已经形成了只需4次构图的工艺技术，大大减低了液晶面板的制作成本及提高了生产效率，但是，目前的4次构图工艺技术其制程仍然较为复杂，还需使用半曝光技术，制作难度较高，此外还需要使用OC层作为绝缘材料，增加了生产的难度。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种效率较高，且制作难度较低的TFT阵列基板的制作方法。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

一种TFT阵列基板的制作方法，包括以下步骤：

A、依次沉积金属薄膜、绝缘层和半导体层后，用构图方法制作栅线和栅极；

B、沉积绝缘层，用构图方法制作沟道区域保护层；

C、依次沉积掺杂半导体层、金属层，用构图方法形成源极、漏极和数据线，并切断掺杂半导体层及金属层形成通电沟道；

D、沉积ITO层，用构图方法使ITO层形成像素电极。

优选的，所述的步骤A中，先采用溅射法形成一层金属薄膜，再用气相沉积法在金属薄膜上依次沉积SiNx绝缘层和a-Si半导体层。金属薄膜作用于制作栅极以及栅线，通过溅射法所获得的薄膜结合好，纯度高，致密性好，满足栅极及栅线的要求，绝缘层和半导体层通过常用气相沉积法形成，制程简单。

优选的，所述的步骤A中，通过光刻法作为构图方法形成栅线和栅极。使用光刻法形成栅极、栅线及有源层较为方便。

优选的，所述步骤B中，所述绝缘层为SiNx层，所述的SiNx层通过气相沉积法在半导体层上沉积形成。溅射法所获得的薄膜结合好，纯度高，致密性好，使将作为背沟道保护的绝缘层具有较好内部结构，效果更好。

优选的，所述的步骤B中，通过光刻法作为构图方法形成TFT的沟道区域保护层。

优选的，所述步骤C中，使用气相沉积法沉积N+a-Si形成掺杂半导体层，再用溅射法在该掺杂半导体层上沉积金属层。溅射法所获得的薄膜结合好，纯度高，致密性好。

优选的，所述的步骤C中，通过光刻法作为构图方法形成TFT的源极、漏极和数据线。使用光刻法形成源极、漏极和数据线较为方便。

优选的，所述的步骤C中，通过干刻的方法切断掺杂半导体层形成通电沟道。干刻制程简单快速。

优选的，所述步骤D中，所述ITO层是通过溅射法沉积形成的。

优选的，所述的步骤D中，通过光刻法作为构图方法使ITO层形成像素电极，并使像素电极与漏极相连接，并在数据线、源极和漏极上分别形成与之相同的图案的ITO层。

一种使用上述TFT阵列基板的制作方法制成的TFT阵列基板。

本发明由于采用4次构图技术，通过第一次构图完成栅极、栅线及有源层的制作，并且像素电极、数据线、源极、漏极及沟道等都是通过完全显影的光刻或干刻直接形成，不需要使用半曝光技术，且不需要使用OC作为绝缘层，大大降低了阵列基板的制作难度，减少了使用的材料，从而降低了阵列基板的生产成本，提高了生产效率。其形成的TFT器件为背沟道保护型，有利于减小器件关态电流。

附图说明

图1是本发明实施例的步骤1形成的结构示意图，

图2是本发明实施例的步骤2形成的结构示意图，

图3是本发明实施例的步骤3形成的结构示意图，

图4是本发明实施例的步骤4形成的结构示意图，

图5是本发明实施例的制作流程示意图。

其中：1、玻璃基板；2、金属薄膜；3、绝缘层；4、半导体层；5、SiNx层；6、掺杂半导体层；7、源极；8、漏极；9、ITO层。

具体实施方式

下面结合附图和较佳的实施例对本发明作进一步说明。

本发明实施例中的TFT阵列基板的制作方法流程如图1-图5所示，包括以下步骤：