[发明专利]一种多栅极场效应晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种多栅极场效应晶体管的制作方法，包括：

提供半导体基底，所述半导体基底包括底部含Si半导体层、绝缘层以及顶部含Si半导体层；

在所述半导体基底上形成硬掩膜；

图案化所述硬掩膜；

形成鳍片；

在所述绝缘层、所述鳍片和所述硬掩膜上沉积另一绝缘层；

去除多余的所述另一绝缘层，使所述硬掩膜和所述鳍片的一部分暴露出来。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体基底为绝缘体上硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述硬掩膜为氮化硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其中图案化所述硬掩膜的方法采用双重图形光刻技术、电子束曝光技术、纳米压印技术或极紫外光刻技术中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的方法，其中沉积另一绝缘层的方法采用流动性化学气相沉积工艺、旋转涂覆工艺或高密度等离子体工艺。

6.根据权利要求1所述的方法，其中采用凹陷刻蚀去除多余的所述另一绝缘层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中在所述凹陷蚀刻步骤之前还包括通过化学机械研磨去除所述硬掩膜上部的所述另一绝缘层的步骤。

8.根据权利要求1所述的方法，其中去除所述另一绝缘层后，位于所述鳍片底部的被保留的另一绝缘层厚度为鳍片总高度的1/10~1/3。

9.根据权利要求1所述的方法，其中去除所述另一绝缘层后，还包括去除所述硬掩膜的步骤。

10.一种多栅极场效应晶体管结构，包括：

底部含Si半导体层、位于所述底部含Si半导体层上的绝缘层以及部分嵌入所述绝缘层的半导体鳍片。

11.根据权利要求10所述的结构，其中部分嵌入绝缘层的半导体鳍片高度为半导体鳍片总高度的1/10~1/3。