[发明专利]自偏置运算放大电路及系统无效
| 申请号： | 201110282052.9 | 申请日： | 2011-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102386864A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 范方平 | 申请（专利权）人： | 四川和芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 偏置 运算 放大 电路 系统 | ||
1. 一种自偏置运算放大电路，其特征在于：所述自偏置运算放大电路包括一控制子电路及一与所述控制子电路相连的偏置子电路，所述控制子电路包括一第一输入端、一第二输入端、一与所述偏置子电路相连的第一场效应管、一与所述第一输入端相连的第二场效应管、一与所述第二输入端相连的第三场效应管、一与所述第二场效应管相连的第一输出端、一与所述第三场效应管相连的第二输出端、一与所述第一输出端相连的第一电阻及一与所述第二输出端相连的第二电阻，所述偏置子电路包括一参考电压端、一连接于所述参考电压端与所述控制子电路之间的比较器、一连接于所述比较器与所述第二输出端之间的第三电阻及一连接于所述比较器与所述第一输出端之间的第四电阻。
2. 如权利要求1所述的自偏置运算放大电路，其特征在于：所述比较器的一正相输入端与所述第三电阻的一端及所述第四电阻的一端相连，所述比较器的一反相输入端与所述参考电压端相连，所述比较器的一输出端与所述第一场效应管的栅极相连。
3. 如权利要求2所述的自偏置运算放大电路，其特征在于：所述第一场效应管的源级与所述电源端相连，所述第一场效应管的漏极与所述第二场效应管的源级及所述第三场效应管的源级相连。
4. 如权利要求3所述的自偏置运算放大电路，其特征在于：所述第二场效应管的栅极与所述第一输入端相连，所述第二场效应管的漏极与所述第三电阻的另一端、所述第二电阻的一端及所述第二输出端相连。
5. 如权利要求4所述的自偏置运算放大电路，其特征在于：所述第三场效应管的栅极与所述第二输入端相连，所述第三场效应管的漏极与所述第四电阻的另一端、所述第一电阻的一端及所述第一输出端相连。
6. 如权利要求5所述的自偏置运算放大电路，其特征在于：所述第一电阻与所述第二电阻的另一端共同连接一接地端。
7. 一种自偏置运算放大系统，其特征在于：所述自偏置运算放大系统包括一控制子电路及一与所述控制子电路相连的偏置子电路，所述偏置子电路包括一参考电压端、一连接于所述参考电压端与所述控制子电路之间的比较器、一连接于所述比较器与所述第二输出端之间的第三电阻及一连接于所述比较器与所述第一输出端之间的第四电阻。
8. 如权利要求7所述的自偏置运算放大系统，其特征在于：所述控制子电路包括一第一输入端、一第二输入端、一与所述偏置子电路相连的第一场效应管、一与所述第一输入端相连的第二场效应管、一与所述第二输入端相连的第三场效应管、一与所述第二场效应管相连的第一输出端、一与所述第三场效应管相连的第二输出端、一与所述第一输出端相连的第一电阻及一与所述第二输出端相连的第二电阻。
9. 如权利要求8所述的自偏置运算放大系统，其特征在于：所述比较器的一正相输入端与所述第三电阻的一端及所述第四电阻的一端相连，所述比较器的一反相输入端与所述参考电压端相连，所述比较器的一输出端与所述第一场效应管的栅极相连，所述第一场效应管的源级与所述电源端相连，所述第一场效应管的漏极与所述第二场效应管的源级及所述第三场效应管的源级相连。
10. 如权利要求9所述的自偏置运算放大系统，其特征在于：所述第二场效应管的栅极与所述第一输入端相连，所述第二场效应管的漏极与所述第三电阻的另一端、所述第二电阻的一端及所述第二输出端相连，所述第三场效应管的栅极与所述第二输入端相连，所述第三场效应管的漏极与所述第四电阻的另一端、所述第一电阻的一端及所述第一输出端相连，所述第一电阻与所述第二电阻的另一端共同连接一接地端。
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