[发明专利]自偏置运算放大电路及系统无效

专利信息
申请号: 201110282052.9 申请日: 2011-09-21
公开(公告)号: CN102386864A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 范方平 申请(专利权)人: 四川和芯微电子股份有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610041 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 偏置 运算 放大 电路 系统
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种运算放大电路及系统,尤指一种具有精确输出摆幅的自偏置运算放大电路及系统。

背景技术

请参阅图1,图1为现有的运算放大器的电路结构,假设R11=R22=Rdd,为了得到精确的输出摆幅Vpp1=(VOUT1+)-(VOUT1-),必须首先产生一个精确的电流Id1=Vpp1/Rdd,为了产生这个电流,一般需要使用一个基准电压VREF1除以一个电阻,即得到电流Ib1=VREF1/R33,然后通过镜像得到Id1=N*Ib1,其中N代表镜像比。

该基准电压VREF1通过比较器CMP1强制电压VFB与其相等,从而得到流过电阻R33的电流值为I33=VREF1/R33=Ib1,即流过场效应管MP的电流为Ib,假设场效应管MP1与场效应管MP2的镜像比为N,则可以得到Id1=N*Ib1。为了保证电流Ib1精确,通常需要使用片外电阻,这样将导致浪费很大的面积,同时由于电阻R11与电阻R22存在工艺角偏差,会导致输出摆幅Vpp1最大有±20%的偏差,当然,也可将电阻R33和电阻R11、电阻R22在版图上进行匹配,从而消除此偏差,但是电阻R33和电阻R11、电阻R22的精确匹配会增大版图设计的难度且浪费面积,同时场效应管MP1和场效应管MP2镜像也会产生偏差。

由以上分析可知,现有的运算放大器结构通常需要产生一个精确的恒温偏置电流,以得到精确的输出摆幅,而产生一个精确的恒温偏置电流,会增大版图设计的难度,浪费很大的面积。

发明内容

鉴于以上内容,有必要提供一种具有精确输出摆幅的自偏置运算放大电路及系统。

一种自偏置运算放大电路,所述自偏置运算放大电路包括一控制子电路及一与所述控制子电路相连的偏置子电路,所述控制子电路包括一第一输入端、一第二输入端、一与所述偏置子电路相连的第一场效应管、一与所述第一输入端相连的第二场效应管、一与所述第二输入端相连的第三场效应管、一与所述第二场效应管相连的第一输出端、一与所述第三场效应管相连的第二输出端、一与所述第一输出端相连的第一电阻及一与所述第二输出端相连的第二电阻,所述偏置子电路包括一参考电压端、一连接于所述参考电压端与所述控制子电路之间的比较器、一连接于所述比较器与所述第二输出端之间的第三电阻及一连接于所述比较器与所述第一输出端之间的第四电阻。

一种自偏置运算放大系统,所述自偏置运算放大系统包括一控制子电路及一与所述控制子电路相连的偏置子电路,所述偏置子电路包括一参考电压端、一连接于所述参考电压端与所述控制子电路之间的比较器、一连接于所述比较器与所述第二输出端之间的第三电阻及一连接于所述比较器与所述第一输出端之间的第四电阻。

相对现有技术,本发明自偏置运算放大电路及系统不受工艺和温度的影响,无需额外提供精确的恒温偏置电流,通过调节参考电压端的参考电压便可精确地确定输出摆幅,设计成本大大降低。

附图说明

图1为现有的运算放大器的电路图。

图2为本发明自偏置运算放大系统较佳实施方式的系统框图。

图3为本发明自偏置运算放大电路较佳实施方式的电路图。

具体实施方式

请参阅图2,本发明自偏置运算放大系统较佳实施方式包括一控制子电路及一与该控制子电路相连的偏置子电路,该控制子电路用于将输入的差分信号放大后输出,该偏置子电路用于给该控制子电路提供合适的工作电流。请同时参阅图3所示的自偏置运算放大电路,其中,该控制子电路包括一第一输入端VIN+、一第二输入端VIN-、一与该偏置子电路相连的第一场效应管M1、一与该第一输入端VIN+相连的第二场效应管M2、一与该第二输入端VIN-相连的第三场效应管M3、一第一输出端VOUT+、一第二输出端VOUT-、一与该第一输出端VOUT+相连的第一电阻R1及一与该第二输出端VOUT-相连的第二电阻R2。该偏置子电路包括一参考电压端VREF、一与该参考电压端VREF及该第一场效应管M1相连的比较器CMP、一与该比较器CMP及该第二输出端VOUT-相连的第三电阻R3及一与该比较器CMP及该第一输出端VOUT+相连的第四电阻R4。该第一输入端VIN+与该第二输入端VIN-共同接收一对差分信号,该第一输出端VOUT+与该第二输出端VOUT-共同输出放大后的一对差分信号。

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