[发明专利]SONOS非挥发性存储器件的数据写入方法

权利要求书

1.一种SONOS非挥发性存储器件的数据写入方法，其特征在于，包括如下步骤：

一.在多晶硅栅极加第一栅压，将源端、漏端和阱端接地，将该电压偏置持续保持第一时间；

二.在多晶硅栅极加第二栅压，第二栅压绝对值小于第一栅压绝对值，在漏端加源漏端工作电压，将源端和阱端接地，将该电压偏置持续保持第二时间；

三.在多晶硅栅极加第二栅压，第二栅压绝对值小于第一栅压绝对值，在源端加源漏端工作电压，将漏端和阱端接地，将该电压偏置持续保持第三时间；

四.在多晶硅栅极加第四栅压，第四栅压绝对值大于等于第一栅压绝对值，将源端、漏端和阱端接地，将该电压偏置持续保持第四时间。

2.根据权利要求1所述的SONOS非挥发性存储器件的数据写入方法，其特征在于，所述步骤二、步骤三顺序互换。

3.根据权利要求1或2所述的SONOS非挥发性存储器件的数据写入方法，其特征在于，所述SONOS非挥发性存储器件，阱为p型掺杂，沟道为n型掺杂，源漏为n型掺杂。

4.根据权利要求3所述的SONOS非挥发性存储器件的数据写入方法，其特征在于，

所述第一栅压大于等于7V且小于等于13V；

所述第二栅压大于等于3V且小于等于7V；

所述第四栅压大于等于10V且小于等于13V；

所述源漏端工作电压大于等于1V且小于等于5V。

5.根据权利要求4所述的SONOS非挥发性存储器件的数据写入方法，其特征在于，

所述第一时间大于等于100微秒且小于等于200微秒；

所述第二时间大于等于50微秒且小于等于200微秒；

所述第三时间大于等于50微秒且小于等于200微秒；

所述第四时间大于等于200微秒且小于等于400微秒。

6.根据权利要求4所述的SONOS非挥发性存储器件的数据写入方法，其特征在于，

所述第一栅压等于10V；

所述第二栅压等于5V；

所述第四栅压等于11V；

所述源漏端工作电压等于1.8V；

所述第一时间为100微秒；

所述第二时间为100微秒；

所述第三时间为100微秒；

所述第四时间为200微秒。

7.根据权利要求1或2所述的SONOS非挥发性存储器件的数据写入方法，其特征在于，所述SONOS器件，阱为n型掺杂，沟道为p型掺杂，源漏为p型掺杂。