[发明专利]双栅晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种双栅晶体管，包括：

衬底上的半导体层；

在所述半导体层中形成的鳍结构，所述鳍结构具有用于形成源漏区的两个端部和位于两个端部之间的用于形成沟道区的中间部分，所述用于形成沟道区的中间部分包括垂直于衬底表面的两个相对侧面；

设置在所述用于形成沟道区的中间部分的一个侧面上的第一栅极电介质层和第一栅极；以及

设置在所述用于形成沟道区的中间部分的另一个侧面上的第二栅极电介质层和第二栅极，

其特征在于：

所述用于形成沟道区的中间部分的宽度大于所述用于形成源漏区的两个端部的宽度，

所述用于形成沟道区的中间部分的长度大于所述第一栅极的长度和所述第二栅极的长度中的至少一个，以及

所述第一栅极的高度与所述第二栅极的高度分别与所述用于形成沟道区的中间部分的高度相同，

其中长度沿沟道方向，高度沿垂直于衬底表面的方向，宽度沿与长度和高度方向分别垂直的方向。

2.如权利要求1所述的双栅晶体管，其中所述第一栅极电介质层和第一栅极的长度相同，并且所述第二栅极电介质层和第二栅极的长度相同。

3.如权利要求1所述的双栅晶体管，其中所述第一栅极电介质层和第一栅极的高度相同，并且所述第二栅极电介质层和第二栅极的高度相同。

4.如权利要求1所述的双栅晶体管，其中所述第一栅极与所述第二栅极的长度不同。

5.如权利要求1所述的双栅晶体管，其中所述第一栅极与所述第二栅极的长度相同。

6.如权利要求1所述的双栅晶体管，其中所述第一栅极与所述第二栅极的宽度不同。

7.如权利要求1所述的双栅晶体管，其中所述第一栅极与所述第二栅极的宽度相同。

8.如权利要求1所述的双栅晶体管，其中所述用于形成沟道区的中间部分在宽度方向上分别延伸超出所述用于形成源漏区的两个端部的两侧。

9.如权利要求1所述的双栅晶体管，其中所述用于形成沟道区的中间部分在长度方向上分别延伸超出所述第一栅极的两端。

10.如权利要求9所述的双栅晶体管，其中所述用于形成沟道区的中间部分在长度方向上分别延伸超出所述第一栅极的两端中的至少一端的长度为所述第一栅极的长度的1/5～1/6。

11.如权利要求1所述的双栅晶体管，其中所述用于形成沟道区的中间部分在长度方向上分别延伸超出所述第二栅极的两端。

12.如权利要求11所述的双栅晶体管，其中所述用于形成沟道区的中间部分在长度方向上分别延伸超出所述第二栅极的两端中的至少一端的长度为所述第二栅极的长度的1/5～1/6。

13.如权利要求1所述的双栅晶体管，其中所述第一栅极和所述第二栅极的材料分别包括多晶硅、多晶锗、多晶硅锗和金属中的至少一种。

14.如权利要求13所述的双栅晶体管，其中所述第一栅极与所述第二栅极的材料不同。

15.如权利要求13所述的双栅晶体管，其中所述第一栅极与所述第二栅极的材料相同。

16.如权利要求1所述的双栅晶体管，还包括分别设置在所述第一栅极和所述第二栅极上的第一接触和第二接触。

17.如权利要求16所述的双栅晶体管，其中所述第一接触和所述第二接触的材料分别包括W、Cu和Al中的至少一种。

18.如权利要求17所述的双栅晶体管，其中所述第一接触与所述第二接触的材料相同。

19.如权利要求17所述的双栅晶体管，其中所述第一接触与所述第二接触的材料不同。

20.如权利要求1所述的双栅晶体管，其中所述第一栅极电介质层与所述第二栅极电介质层的材料分别包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。

21.如权利要求20所述的双栅晶体管，其中所述第一栅极电介质层与所述第二栅极电介质层的材料相同。

22.如权利要求20所述的双栅晶体管，其中所述第一栅极电介质层与所述第二栅极电介质层的材料不同。