[发明专利]利用甲烷制作高效率非晶硅薄膜太阳能电池无效
申请号: | 201110284044.8 | 申请日: | 2011-09-23 |
公开(公告)号: | CN103022210A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 陈政宏;刘幼海;刘吉人 | 申请(专利权)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L31/075 | 分类号: | H01L31/075;H01L31/028 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201707 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 甲烷 制作 高效率 非晶硅 薄膜 太阳能电池 | ||
技术领域
本发明关于一种利用甲烷制作高效率非晶硅薄膜太阳能电池,其目的在于大幅增加非晶硅薄膜太阳能电池针对红外光的吸收度,进而达到高效率之非晶硅薄膜太阳能电池。
背景技术
由于能源价格高涨,全球各地皆再寻求替代的绿色能源,非晶硅太阳能电池即是一种将太阳光转换成电能的有效率的绿色能源。
目前,业界大多采用传统单结硅薄膜制程制作太阳能电池,但此方式仍有低发电效率的缺点存在,其中造成太阳能电池价格过高,无法有效普及化应用于生活中的一大因素。
发明内容
本发明主要目的系一种利用甲烷制作高效率非晶硅薄膜太阳能电池,此技术方法于利用甲烷使原本Si:H变成SiC:H,以制造高效率之非晶硅薄膜太阳能电池,其目的在于能够使非晶硅(SiC:H)获得更多的红外光吸收,至少提升80%,并产生高效率非晶硅薄膜太阳能电池。
一种利用甲烷制作高效率非晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于,包含了:一透明玻璃基板;一第一透明导电层,位于该透明导电层上;一P层非晶硅半导体层,位于该第一透明导电层上;一非晶硅(SiC:H)本质半导体层,位于该P层非晶硅半导体层上;一N层非晶硅半导体层,位于该非晶硅(SiC:H)本质半导体层上;一第二透明导电层,位于该N层非晶硅半导体层上;一外透明玻璃基板,位于该第二透明导电层上。
其中,该透明玻璃基板材质选用超高穿透度之玻璃基板,以增加入射光的比例。
其中,该P层非晶硅半导体层,使用PH3形成带电洞之半导体层。
其中,该非晶硅(SiC:H)本质半导体层,选用甲烷、硅烷及氢气制作本质半导体层,使其能够吸收更多红外光,并大幅提升非晶硅薄膜太阳能电池的效率。
其中,该N层非晶硅半导体层,使用TMB及B2H6形成带电子之半导体层。
与传统单结硅薄膜太阳能电池技术作比较,本发明具有的有效效益为:本发明所使用的利用甲烷制作高效率非晶硅薄膜太阳能电池,包含了透明玻璃基板、第一透明导电层、P层非晶硅半导体层、非晶硅(SiC:H)本质半导体层、N层非晶硅半导体层、第二透明导电层及外透明玻璃基板。利用新型非晶硅(SiC:H)本质半导体层,有效提升硅薄膜太阳能件池对红外光的吸收效率,进而获得高效率非晶硅薄膜太阳能电池,并降低生产成本达到符合市场需求的目的。
具体实施方式
兹将本发明配合附图,详细说明如下:参照图1,是本发明利用甲烷制作高效率非晶硅薄膜太阳能电池的新型结构图。其中包含了透明玻璃基板1、第一透明导电层2、P层非晶硅半导体层3、非晶硅(SiC:H)本质半导体层4、N层非晶硅半导体层5、第二透明导电层6及外透明玻璃基板7。
为了能够获得高效率非晶硅薄膜太阳能电池,其光吸收层依序堆栈如下:P层非晶硅半导体层3、非晶硅(SiC:H)本质半导体层4及N层非晶硅半导体层5。当太阳光照射在PN接面时,会有部分原子得到能量,进而形成自由电子,而失去电子的原子将会形成电洞,通过P型及N型半导体分别吸引电子与电洞,把正电及负电分离,因此在PN接面的两端形成一电位差,接着在导电层上接上电路,使电子可以通过并在PN接面的另一端再次结合电子与电洞对,即可利用导线将电能输出。
因此,本发明所使用的新型非晶硅(SiC:H)本质半导体层,其目的在提高非晶硅太阳能电池对红外光吸收效率,进而获得高效率非晶硅薄膜太阳能电池,并降低生产成本达到符合市场需求的目的。
以上说明,对本发明而言只是说明性的,非限制性的,本领域普通技术人员理解,在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下,可作出许多修正、变化或等效,但都将落入本发明的保护范围之内,下面结合附图和实施例对本发明进一步说明,第一图是本发明之利用甲烷制作高效率非晶硅薄膜太阳能电池的新型结构图,主要组件符号说明:1 …透明玻璃基板2 …第一透明导电层3 …P层非晶硅半导体层4 …非晶硅(SiC:H)本质半导体层5 …N层非晶硅半导体层6 …第二透明导电层7 …外透明玻璃基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉富新能源科技(上海)有限公司,未经吉富新能源科技(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110284044.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的