[发明专利]半导体封装结构及其制造方法有效
申请号: | 201110288553.8 | 申请日: | 2011-09-23 |
公开(公告)号: | CN103022011A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 杨俊 | 申请(专利权)人: | 国碁电子(中山)有限公司 |
主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L23/31;H01L21/56 |
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地址: | 528437 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:
基板单元,包括多个接地连接部并设有连接所述接地连接部的通孔,所述通孔内涂布导电膜以使所述接地连接部接地;
芯片,固定并电性连接于所述基板单元,所述接地连接部位于所述芯片的周围;
金属导体,固定于所述接地连接部并包围所述芯片,以实现接地;
封胶体,封装所述芯片并部分封装所述金属导体;以及
屏蔽层,覆盖于所述封胶体及所述金属导体之未封装部分,以与所述金属导体共同实现对所述芯片进行电磁屏蔽。
2.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述基板设有间隔垫层及多个焊垫,所述焊垫位于所述间隔垫层与所述接地连接部之间,所述芯片固定安装于所述间隔垫层上,并利用连接线将所述芯片电性连接于所述焊垫以使所述芯片电性连接于所述基板。
3.如权利要求2所述的半导体封装结构,其特征在于,所述芯片通过粘合剂固定安装于所述间隔垫层上。
4.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述导电膜为铝、铜、铬、锡、金、银、镍或者含有上述元素所组成的合金。
5.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述屏蔽层表面还设置有保护层,以保护所述屏蔽层。
6.一种半导体封装结构的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括下列步骤:
提供基板,所述基板包括多个基板单元,每个基板单元设置多个接地连接部;
设置金属导体于所述接地连接部以接地;
设置芯片于所述基板单元并使所述金属导体包围所述芯片;
形成封胶体于所述基板上,以包覆所述芯片及并部分包覆所述金属导体,所述封胶体与所述金属导体之间形成高度差,从而使得相邻基板单元之间形成凹槽;以及
形成屏蔽层于所述封胶体的表面及所述金属导体之未封装部分,以使所述屏蔽层覆盖整个基板并电性连接于所述金属导体,于所述凹槽所在的位置切割,以使所述多个基板单元分离。
7.如权利要求6所述的半导体封装结构的制造方法,其特征在于,利用粘合剂将所述芯片固定安装于所述基板,利用连接线将所述芯片电性连接于所述基板单元。
8.如权利要求6所述的半导体封装结构的制造方法,其特征在于,每个基板单元设置有多个通孔,所述通孔内壁涂布导电膜并连接所述接地连接部以使所述接地连接部接地。
9.如权利要求6所述的半导体封装结构的制造方法,其特征在于,所述凹槽的截面呈U型。
10.如权利要求6所述的半导体封装结构的制造方法,其特征在于,形成保护层于所述屏蔽层表面以保护所述屏蔽层,所述保护层由非导电材料制成。
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