[发明专利]光学微腔生化传感器

权利要求书

1.一种光学微腔传感器，包括：

一第一3dB光分束器和一第二3dB光分束器；

一传感微腔，该传感微腔的一侧与第一3dB光分束器的端口1耦合，该传感微腔的另一侧与第二3dB光分束器的端口1耦合；

一参考微腔，该参考微腔的一侧与第一3dB光分束器的端口2耦合，该参考微腔的另一侧与第二3dB光分束器的端口2耦合；

一样品槽，该样品槽用于容置传感微腔；

一参考槽，该参考槽用于容置参考微腔；

其中传感微腔与参考微腔的自由频谱宽不同，入射光由第一3dB光分束器输入，经分束后分别与传感微腔和参考微腔相耦合；耦合进入传感微腔和参考微腔的光分别耦合进入第二3dB光分束器的端口1和端口2，两束光经第二3dB光分束器干涉后作为传感信号输出。

2.根据权利要求1所述的光学微腔生化传感器，其中传感微腔是微环、微盘、微球或光子晶体微腔。

3.根据权利要求1所述的光学微腔生化传感器，其中参考微腔是微环、微盘、微球或光子晶体微腔。

4.根据权利要求1所述的光学微腔生化传感器，其中传感微腔与第一3dB光分束器端口1的耦合是基于倏逝波耦合，其耦合方式为横向耦合或者垂直耦合。

5.根据权利要求1所述的光学微腔生化传感器，其中传感微腔与第二3dB光分束器端口1的耦合是基于倏逝波耦合，其耦合方式为横向耦合或者垂直耦合。

6.根据权利要求1所述的光学微腔生化传感器，其中参考微腔与第一3dB光分束器端口2的耦合是基于倏逝波耦合，其耦合方式为横向耦合或者垂直耦合。

7.根据权利要求1所述的光学微腔生化传感器，其中参考微腔与第二3dB光分束器端口2的耦合是基于倏逝波耦合，其耦合方式为横向耦合或者垂直耦合。

8.根据权利要求1-7任一项所述的光学微腔生化传感器，其中用于制作该光学微腔生化的材料是SOI、有机物或者硅基二氧化硅。