[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

键合焊盘；

控制信号焊盘；以及

操作模式信号发生单元，所述操作模式信号发生单元被配置为响应于经由所述键合焊盘输入的键合信号和经由所述控制信号焊盘输入的控制信号来产生多个操作模式信号。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述多个操作模式信号包括用于指定第一输入/输出模式的第一操作模式信号、用于指定第二输入/输出模式的第二操作模式信号、以及用于指定晶片老化测试模式的第三操作模式信号。

3.如权利要求2所述的半导体存储装置，其中，所述控制信号在所述第一输入/输出模式下用于所述半导体存储装置的正常操作，而在所述第二输入/输出模式或所述晶片老化测试模式下不用于所述半导体存储装置的正常操作。

4.如权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述控制信号是地址信号和选通信号中的任一个。

5.如权利要求2所述的半导体存储装置，还包括：

缓冲器单元，所述缓冲器单元被配置为响应于所述第二操作模式信号或所述第三操作模式信号而阻止所述控制信号的输入。

6.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述操作模式信号发生单元包括：

模式控制信号发生部，所述模式控制信号发生部被配置为响应于所述键合信号而从所述控制信号产生模式控制信号；以及

模式译码部，所述模式译码部被配置为响应于所述键合信号和所述模式控制信号来产生所述多个操作模式信号。

7.如权利要求6所述的半导体存储装置，其中，只有当所述键合信号具有预定的电平时，所述模式控制信号发生部才根据所述控制信号的电平来产生所述模式控制信号。

8.一种半导体存储装置，包括：

键合焊盘；

地址焊盘；

选通焊盘；以及

操作模式信号发生单元，所述操作模式信号发生单元被配置为响应于经由所述键合焊盘输入的键合信号、经由所述地址焊盘输入的地址信号、以及经由所述选通焊盘输入的选通信号来确定第一至第四操作模式。

9.如权利要求8所述的半导体存储装置，其中，当所述键合信号具有第一电平时，不管所述地址信号和所述选通信号如何，所述操作模式信号发生单元都产生指定所述第一操作模式的第一操作模式信号。

10.如权利要求9所述的半导体存储装置，其中，当所述键合信号具有第二电平时，所述操作模式信号发生单元响应于所述地址信号和所述选通信号来确定所述第二至第四操作模式中的一个。

11.如权利要求10所述的半导体存储装置，其中，当所述键合信号具有所述第二电平并且所述选通信号具有所述第一电平时，不管所述地址信号如何，所述操作模式信号发生单元都产生指定所述第二操作模式的第二操作模式信号。

12.如权利要求10所述的半导体存储装置，其中，当所述键合信号具有所述第二电平、所述选通信号具有所述第二电平并且所述地址信号具有所述第一电平时，所述操作模式信号发生单元产生指定所述第三操作模式的第三操作模式信号。

13.如权利要求10所述的半导体存储装置，其中，当所述键合信号具有所述第二电平、所述选通信号具有所述第二电平并且所述地址信号具有所述第二电平时，所述操作模式信号发生单元产生指定所述第四操作模式的第四操作模式信号。

14.如权利要求8所述的半导体存储装置，其中，所述选通信号用在所述第一操作模式下，而不用在所述第二至第四操作模式下。

15.如权利要求8所述的半导体存储装置，其中，所述地址信号用在所述第一和第二操作模式下，而不用在所述第三和第四操作模式下。

16.如权利要求8所述的半导体存储装置，其中，所述第一至第四操作模式中的每个是X4输入/输出模式、X8输入/输出模式、X16输入/输出模式和晶片老化测试模式中的一种模式。

17.一种半导体存储装置，包括：

键合焊盘；以及

控制信号焊盘，

其中，所述半导体存储装置在第一操作模式下经由所述控制信号焊盘接收控制信号，在第二操作模式和第三操作模式下经由所述控制信号焊盘接收键合信号而非所述控制信号。