[发明专利]半导体存储装置

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2010年12月21日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2010-0131995的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的各个实施例涉及一种半导体存储装置。更具体而言，某些实施例涉及一种能够以减少的数量的键合焊盘来设置其操作模式的半导体存储装置。

背景技术

随着半导体存储装置的操作速度和处理容量增加，半导体存储装置开始装设多个焊盘和多个数据输入/输出线，以一次输入和输出多个数据。根据半导体存储装置在每次读取或写入操作中能够同时处理多少数据比特，来使用X4、X8和X16输入/输出模式。X4输入/输出模式可以是指在每一次读取或写入操作中同时输入或输出四个数据比特的模式，而X8和X16输入/输出模式可以是指在每一次读取或写入操作中同时输入或输出八个和十六个数据比特的模式。

为了提高完整产品的产量，通常在半导体存储装置的制造过程期间执行晶片老化(wafer burn-in)测试。晶片老化测试可以是指当半导体存储装置在被封装之前处于晶片上时持续施加应力的测试，由此检查半导体存储装置是正常还是异常。独立于半导体存储装置的常规操作来执行晶片老化测试。因此，半导体存储装置包括能够指定输入/输出模式和晶片老化测试模式的配置。

图1是示意性地说明现有技术的半导体存储装置的配置的图。如图1所示，半导体存储装置可以包括第一键合焊盘10、第二键合焊盘20和译码单元30。第一键合焊盘10接收第一键合信号PADX4，第二键合焊盘20接收第二键合信号PADX8。译码单元30被配置为从第一键合焊盘10和第二键合焊盘20接收第一键合信号PADX4和第二键合信号PADX8，并将第一键合信号PADX4和第二键合信号PADX8译码。可以基于第一键合信号PADX4和第二键合信号PADX8的逻辑电平的各种组合来产生四个译码信号。所述四个译码信号可以被用作分别指定X4输入/输出模式、X8输入/输出模式、X16输入/输出模式和晶片老化测试模式的信号X4、X8、X16和WBI。

因此，为了在现有的半导体存储装置中指定X4、X8和X16输入/输出模式和晶片老化测试模式，需要从至少两个键合焊盘接收信号。而且，即使在未使用X4输入/输出模式的半导体存储装置中，也必须从至少两个键合焊盘接收两个信号以指定三种不同的操作模式。

发明内容

因此，需要一种能够利用减少的数量的键合焊盘来指定其操作模式的改进的半导体存储装置。

为了实现本发明的优点并根据本发明的目的，如本发明所实施且在此概括性描述的，本发明的一个示例性方面可以提供一种半导体存储装置，包括：键合焊盘；控制信号焊盘；以及操作模式信号发生单元，所述操作模式信号发生单元被配置为响应于经由键合焊盘输入的键合信号和经由控制信号焊盘输入的控制信号来产生多个操作模式信号。

在本发明的另一个示例性方面中，一种半导体存储装置可以包括：键合焊盘；地址焊盘；选通焊盘；以及操作模式信号发生单元，所述操作模式信号发生单元被配置为响应于经由键合焊盘输入的键合信号、经由地址焊盘输入的地址信号、以及经由选通焊盘输入的选通信号来确定第一至第四操作模式。

在本发明的另一个示例性方面中，一种半导体存储装置可以包括：键合焊盘；以及控制信号焊盘，其中，半导体存储装置在第一操作模式下经由控制信号焊盘接收控制信号，在第二操作模式和第三操作模式下经由控制信号焊盘接收键合信号而非控制信号。

本发明的其它的目的和优点的一部分将在以下的描述中阐明，一部分将从描述中显然地得出，或者可以通过实践本发明而习得。借助于所附权利要求中特别指出的要素和组合可以了解并获得本发明的目的和优点。

应当理解的是，前述的概括性的描述和以下的详细描述都仅仅是示例性和说明性，而并非如权利要求那样限制本发明。

附图说明

包含在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出符合本发明的各个实施例，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。

图1是示意性地说明现有半导体存储装置的配置的图。

图2是示意性地说明根据本发明一个实施例的半导体存储装置的配置的图。

图3是说明图2所示的操作模式信号发生单元的一个示例性实施例的配置的电路图。

图4是示意性地说明根据本发明另一个实施例的半导体存储装置的配置的图。

图5是示意性地说明根据本发明另一个实施例的半导体存储装置的配置的图。

具体实施方式