[发明专利]电容式触摸屏及其加工方法

权利要求书

1.一种电容式触摸屏，包括至少一块基板，所述基板的单面或双面形成有若干具有几何形状的透明电极，其特征在于，所述基板的侧边的至少一部分区域上具有若干与所述透明电极相连接的银浆电路走线，所述银浆电路走线的间距为10μm-65μm。

2.如权利要求1所述的电容式触摸屏，其特征在于，所述透明电极为ITO导电电极。

3.如权利要求1所述的电容式触摸屏，其特征在于，所述银浆电路走线的间距小于30μm。

4.如权利要求1所述的电容式触摸屏，其特征在于，所述银浆电路走线的宽度为30-65μm。

5.如权利要求1-4所述的电容式触摸屏，其特征在于，所述基板为玻璃板或者PET膜。

6.一种如权利要求1-5中任一项所述的电容式触摸屏的加工方法，其特征在于，其包括以下步骤：

S₁、选取至少一基板，所述基板的单面或双面形成有若干具有几何形状的透明电极；

S₂、在所述基板的侧边的至少一部分区域印刷一银浆层；

S₃、采用镭射切割机在所述银浆层上切割出若干银浆电路走线，使所述银浆电路走线与所述透明电极对应连接，所述银浆电路走线的间距为10μm-65μm。

7.如权利要求6所述的加工方法，其特征在于，所述步骤S₂中的所述银浆层的厚度为6μm-12μm。

8.如权利要求6所述的电容触摸屏的加工方法，其特征在于，所述步骤S₁中所述透明电极通过以下步骤加工：

S₁₁、在所述基板上镀或印刷一层透明导电层；

S₁₂、采用镭射切割机在所述透明导电层上切割出透明电极。

9.如权利要求8所述的电容式触摸屏的加工方法，其特征在于，所述透明导电层为ITO层，厚度为20nm，电阻为100±10％欧姆。

10.如权利要求6所述的加工方法，其特征在于，所述银浆层的表面为高度一致的平整表面。

11.如权利要求6或9所述的加工方法，其特征在于，所述步骤S₂和步骤S₃之间还包括以下步骤：S₂₁、对所述银浆层进行烘烤。

12.如权利要求11所述的加工方法，其特征在于，所述步骤S₃之后还包括以下步骤：

S₃₁、清洁切割后的所述基板；

S₃₂、对所述基板进行测试。

13.如权利要求12所述的加工方法，其特征在于，所述步骤S₂中所述基板的侧边为所述基板的左右两侧边。

14.如权利要求13所述的加工方法，其特征在于，所述步骤S₃和步骤S₃₁之间还包括以下步骤：

S_31’、在所述基板的上侧边和/或下侧边的至少一部分区域上印刷若干与所述透明电极相连接的电路走线。

15.如权利要求14所述的加工方法，其特征在于，所述步骤S_31’中的所述电路走线的间距为80μm-90μm。