[发明专利]电容式触摸屏及其加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及触摸屏领域，特别是涉及一种电容式触摸屏及其加工方法。

背景技术

电容式触摸屏是在基板上贴一层透明的特殊金属导电物质，通常为ITO(Indium Tin Oxides，氧化铟锡)薄膜，并在触摸屏四边镀上狭长的电极，在导电体内形成一个低电压交流电场。当手指触摸屏幕时，由于人体电场，手指与导体层间会形成一个耦合电容，四边电极发出的电流会流向触点，而电流强弱与手指到电极的距离成正比，位于触摸屏幕后的控制器便会计算电流的比例及强弱，准确算出触摸点的位置。

如图1所示，电容式触摸屏的常规结构包括一透明上基板1和一透明下基板2。上基板1和下基板2上均镀有一ITO层3，然后将上下基板通过粘接剂粘接在一起，且在上下基板之间设有透明绝缘层4将ITO层隔离开。

目前，电容式触摸屏的加工方法通常有以下两种：

一、在镀有ITO层的导电玻璃基板上蚀刻出需要的电极显示图案，再采用丝网印刷工艺在镀有ITO层的玻璃基板上丝印银浆线路，最后用ACF(各项异性导电膜)把组合好的触控器和柔性电路板引出。

然而，上述采用丝印的银浆线路只能达到70μm-80μm的线距。由于电容触摸屏的两边具有很多线路，且引出线非常细，丝印的银浆线路很容易造成线路断线，产品的良率较低。

二、在镀有ITO层的导电玻璃基板的周边镀上钼铝钼层，再蚀刻出银浆线路。采用钼铝钼层后可以将引出线的线距缩小到30μm-50μm。然而，钼铝钼和导电玻璃是在真空状态下以磁控溅射的方法在玻璃正反表面镀上ITO导电膜，然后在浮法面镀上钼、铝、钼金属膜层。整个生产工艺需要采用非常复杂的黄光制程，且钼铝钼材料的价格很昂贵，成本投入非常大。

发明内容

本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术电容式触摸屏的印刷线路良率低及钼铝钼材料成本高的缺陷，提供一种电容式触摸屏及其加工方法。

本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：一种电容式触摸屏，包括至少一块基板，所述基板的单面或双面形成有若干具有几何形状的透明电极，其特点在于，所述基板的侧边的至少一部分区域上具有若干与所述透明电极相连接的银浆电路走线，所述银浆电路走线的间距为10μm-65μm。

与现有技术中的电容式触摸屏相比，本发明中的所述电路走线的间距大大缩小，从而适应电容式触摸屏两边较窄的边距，进一步扩大了触摸屏的显示区域，满足客户不断提高的需求。

较佳地，所述透明电极为ITO导电电极。

较佳地，所述银浆电路走线的间距小于30μm。

较佳地，所述银浆电路走线的宽度为30-65μm。

进一步缩小了所述电路走线的间距及宽度，可以适应更多的电容式触摸屏的窄边距要求。

较佳地，所述基板为玻璃板或者PET膜(耐高温聚酯薄膜)。

本发明还提供了一种上述电容式触摸屏的加工方法，其特点在于，所述加工方法包括以下步骤：

S₁、选取至少一基板，所述基板的单面或双面形成有若干具有几何形状的透明电极；

S₂、在所述基板的侧边的至少一部分区域印刷一银浆层；

S₃、采用镭射切割机在所述银浆层上切割出若干银浆电路走线，使所述银浆电路走线与所述透明电极对应连接，所述银浆电路走线的间距为10μm-65μm。

镭射切割方式具有精度高、效率高、易控制等优点，可以有效优化制作电路走线的方法，提高效率和良率。

较佳地，所述步骤S₂中的所述银浆层的厚度为6μm-12μm。

由于镭射切割具有一定的强度，因此对于所述银浆层的厚度具有一定的要求。若银浆层过薄，很容易损坏基板，加大了切割难度；若银浆层过厚，容易使切割后的电路走线之间有连通。

较佳地，所述步骤S₁中所述透明电极通过以下步骤加工：

S₁₁、在所述基板上镀或印刷一层透明导电层；

S₁₂、采用镭射切割机在所述透明导电层上切割出透明电极。

较佳地，所述透明导电层为ITO层，厚度为20nm，电阻为100±10％欧姆。

较佳地，所述银浆层的表面为高度一致的平整表面。

银浆层的表面需要保持高度一致，从而确保镭射切割时不会出现断线现象。