[发明专利]一种抗电磁干扰的芯片封装方法无效
申请号: | 201110291903.6 | 申请日: | 2011-09-30 |
公开(公告)号: | CN102364666A | 公开(公告)日: | 2012-02-29 |
发明(设计)人: | 徐子旸 | 申请(专利权)人: | 常熟市广大电器有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人: | 张利强 |
地址: | 215500 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电磁 干扰 芯片 封装 方法 | ||
1.一种抗电磁干扰的芯片封装方法,该封装方法包括如下步骤:a)固定芯片,b)固定基板,c)前测,d)包覆导电层,e)封胶封装,f)固化定型,g)后测,h)贴附金属外膜。
2.根据权要求1所述的抗电磁干扰的芯片封装方法,其特征在于,所述的步骤a)中,芯片采用覆晶工艺实现与基板的电性连接。
3.根据权利要求1所述的抗电磁干扰的芯片封装方法,其特征在于,所述步骤b)中,基板与电路板之间设置导电球,并采用粘胶对导电球进行包覆。
4.根据权要求1所述的抗电磁干扰的芯片封装方法,其特征在于,所述的步骤d)中,首先,在芯片及基板外部喷涂硅胶基层,然后,通过电镀或溅镀工艺在基层上形成导电线路。
5.根据权利要求4所述的抗电磁干扰的芯片封装方法,其特征在于,所述的导电线路通过焊接工艺与电路板上的接地垫电性连接。
6.根据权利要求5所述的抗电磁干扰的芯片封装方法,其特征在于,所述的步骤h)中,首先,将预制的金属外膜通过变压吸附贴合的方法成型于封装体外表面,然后,通过点焊工艺实现与电路板上的接地垫电性连接。
7.根据权利要求6所述的抗电磁干扰的芯片封装方法,其特征在于,所述的金属外膜选用含镍、铬、钛、钨的合金材料,其厚度为20-40um。
8.根据权利要求6所述的抗电磁干扰的芯片封装方法,其特征在于,所述的金属外膜外部还可镀附一层金属,用于提高封装体强度。
9.根据权利要求8所述的抗电磁干扰的芯片封装方法,其特征在于,所述的镀层金属可选用铜合金或铝合金。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造