[发明专利]一种抗电磁干扰的芯片封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种芯片的封装方法，尤其涉及一种能有阻隔电磁干扰的新型芯片封装方法，属于芯片封装技术领域。

背景技术

在集成电路的制作中，芯片是通过晶圆制作、形成集成电路以及切割晶圆等步骤而获得。在晶圆的集成电路制作完成之后，由晶圆切割所形成的芯片可以向外电性连接到承载器上；其中，承载器可以是引脚架或是基板，而芯片可以采用打线结合或覆晶结合的方式电性连接至承载器。如果芯片和承载器是以打线结合的方式电性连接，则进入到填入封胶的制作步骤以构成芯片封装体。芯片封装技术就是将芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害的一种工艺技术。空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。随着光电、微电制造工艺技术的飞速发展，电子产品始终在朝着更小、更轻、更便宜的方向发展，因此芯片元件的封装形式也不断得到改进。

随着人们对电子产品功能性要求的不断提高，各式各样的高性能芯片被广泛应用于各种电器设备中。这些功高性能芯片在运行过程中容易受到电磁辐射的影响，扰乱其运行频率，降低了电器设备的工作稳定性。

发明内容

针对上述需求，本发明提供了一种抗电磁干扰的芯片封装方法，该封装方法工序安排合理，在确保芯片良好封装性能的同时赋予优秀的电磁屏蔽功能，能有效阻隔周边电器设备释放的电磁波辐射，确保了芯片的高效运行。 

本发明是一种抗电磁干扰的芯片封装方法，该封装方法包括如下步骤：a）固定芯片，b）固定基板，c）前测，d）包覆导电层，e）封胶封装，f）固化定型，g）后测，h）贴附金属外膜。

在本发明一较佳实施例中，所述的步骤a）中，芯片采用覆晶工艺实现与基板的电性连接。

在本发明一较佳实施例中，所述步骤b）中，基板与电路板之间设置导电球，并采用粘胶对导电球进行包覆。

在本发明一较佳实施例中，所述的步骤d）中，首先，在芯片及基板外部喷涂硅胶基层，然后，通过电镀或溅镀工艺在基层上形成导电线路。

在本发明一较佳实施例中，所述的导电线路通过焊接工艺与电路板上的接地垫电性连接。

在本发明一较佳实施例中，所述的步骤h）中，首先，将预制的金属外膜通过变压吸附贴合的方法成型于封装体外表面，然后，通过点焊工艺实现与电路板上的接地垫电性连接。

在本发明一较佳实施例中，所述的金属外膜选用含镍、铬、钛、钨的合金材料，其厚度为20-40um。

在本发明一较佳实施例中，所述的金属外膜外部还可镀附一层金属，用于提高封装体强度。

在本发明一较佳实施例中，所述的镀层金属可选用铜合金或铝合金。

本发明揭示了一种抗电磁干扰的芯片封装方法，该封装方法工序安排合理，按照此法制得的芯片封装体具有双重抗电磁干扰能力，能将电磁辐射通过有效接地引出，确保芯片的高效运行；同时，芯片封装工艺成本低，实施方便，适于批量生产。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是本发明实施例抗电磁干扰的芯片封装方法的工序步骤图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

图1是本发明实施例抗电磁干扰的芯片封装方法的工序步骤图；该封装方法包括如下步骤：a）固定芯片，b）固定基板，c）前测，d）包覆导电层，e）封胶封装，f）固化定型，g）后测，h）贴附金属外膜。

具体实施步骤如下：

a）固定芯片，芯片采用覆晶工艺实现与基板的电性连接，其中，芯片与基板之间是以锡块作为实体接触点，基板一般选用覆铜板材料；

b）固定基板，基板与电路板之间设置导电球，通过加压使基板与电路板产生电性连接；同时，使用热固型粘胶对导电球进行包覆，使基板与电路板产生粘结固定；

c）前测，检测芯片与基板以及基板与电路板的电连接性能，减少次品率，降低生产成本；

d）包覆导电层，首先，在芯片及基板外部喷涂硅胶基层，该硅胶基层的厚度为6-12um；然后，通过电镀或溅镀工艺在基层上形成导电线路，该导电线路通过焊接工艺与电路板上的接地垫电性连接；