[发明专利]具有电磁干扰屏蔽膜的半导体封装件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110293458.7 申请日: 2011-09-29
公开(公告)号: CN102306645A 公开(公告)日: 2012-01-04
发明(设计)人: 廖国宪;陈建成;孙于翔;陈子康 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H05K9/00;H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 中国台湾高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 具有 电磁 干扰 屏蔽 半导体 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装件,包括:

一基板,具有一上表面且包括一接地元件;

一半导体装置,设于该基板的该上表面;

一电路元件,设于该基板的该上表面,该电路元件具有一接地部,该接地部电性连接于该基板的该接地元件;

一封装体,包覆该半导体装置及该电路元件且具有一开孔,该开孔露出该电路元件的该接地部;以及

一电磁干扰屏蔽膜,覆盖该封装体且经由该开孔电性接触该电路元件的该接地部。

2.如权利要求1所述的半导体封装件,其中该基板具有一外侧面,该封装体具有一外侧面,该基板的该外侧面与该封装体的该外侧面实质上对齐;

其中,该电磁干扰屏蔽膜覆盖该封装体的该外侧面及该基板的该外侧面。

3.如权利要求1所述的半导体封装件,其中该封装体具有一上表面及一外侧面,该电磁干扰屏蔽膜覆盖该封装体的该上表面,但未覆盖该封装体的该外侧面。

4.如权利要求1所述的半导体封装件,其中该基板具有一外侧面,该封装体具有一外侧面,该基板的该外侧面与该封装体的该外侧面错开;

其中,该电磁干扰屏蔽膜覆盖该封装体的该外侧面。

5.如权利要求1所述的半导体封装件,其中该基板具有一第一外侧面及一第二外侧面,该基板的该第一外侧面与该第二外侧面错开,该封装体具有一外侧面,该基板的该第一外侧面与该封装体的该外侧面实质上对齐;

其中,该电磁干扰屏蔽膜覆盖该封装体的该外侧面及该基板的该第一外侧面。

6.如权利要求1所述的半导体封装件,其中该电路元件包括一电路板,该半导体装置从该电路板露出。

7.如权利要求6所述的半导体封装件,其中该封装体具有一外侧面、该基板具有一外侧面,且该电路板具有一外侧面,其中该电路板的该外侧面、该封装体的该外侧面与该基板的该外侧面实质上对齐。

8.如权利要求6所述的半导体封装件,其中该电磁干扰屏蔽膜具有一外侧面,该电磁干扰屏蔽膜的该外侧面、该电路板的该外侧面、该封装体的该外侧面与该基板的该外侧面实质上对齐。

9.一种半导体封装件的制造方法,包括:

提供一基板,其中该基板具有一上表面且包括一接地元件;

设置一半导体装置及一电路元件于该基板的该上表面,其中该电路元件具有一接地部,该接地部电性连接于该基板的该接地元件;

形成一封装体包覆该半导体装置及该电路元件;

形成一开孔于该封装体,其中该开孔露出该电路元件的该接地部;

形成一电磁干扰屏蔽膜覆盖该封装体,其中该电磁干扰屏蔽膜经由该开孔电性接触该电路元件的该接地部;以及

形成一切割狭缝,其中该切割狭缝经过该电磁干扰屏蔽膜、该封装体与该基板。

10.如权利要求9所述的制造方法,其中于设置该半导体装置及该电路元件于该基板的该上表面的该步骤中,该电路元件包括一电路板,该半导体装置从该电路板露出。

11.如权利要求10所述的制造方法,其中于形成该切割狭缝的该步骤中,该切割狭缝更经过该电路元件。

12.一种半导体封装件的制造方法,包括:

提供一基板,其中该基板具有一上表面且包括一接地元件;

设置一半导体装置及一电路元件于该基板的该上表面上,其中该电路元件具有一接地部,该接地部电性连接于该基板的该接地元件;

形成一封装体包覆该半导体装置及该电路元件;

形成一开孔于该封装体,其中该开孔露出该电路元件的该接地部;

形成一第一切割狭缝,其中该第一切割狭缝经过该封装体;

形成一电磁干扰屏蔽膜覆盖该封装体,其中该电磁干扰屏蔽膜经由该开孔电性接触该电路元件的该接地部;以及

形成一第二切割狭缝,其中该第二切割狭缝经过该基板。

13.如权利要求12所述的制造方法,其中该基板于形成该第一切割狭缝的该步骤中,该第一切割狭缝止于该基板的该上表面。

14.如权利要求12所述的制造方法,其中于形成该第一切割狭缝的该步骤中,该第一切割狭缝更经过该基板的一部分;形成该电磁干扰屏蔽膜覆盖该封装体的该步骤中,该电磁干扰屏蔽膜更覆盖该基板的该部分。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110293458.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top