[发明专利]具有电磁干扰屏蔽膜的半导体封装件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体封装件及其制造方法，且特别是有关于一种具有电磁干扰屏蔽膜的半导体封装件及其制造方法。

背景技术

半导体封装件为了避免电磁干扰，通常于半导体封装件的外侧面覆盖一电磁干扰屏蔽元件。

然而，传统的电磁干扰屏蔽元件通常沿半导体封装件的基板的侧面延伸至基板的下表面。如此，容易与位于基板的下表面的电性接点电性接触而发生短路。

发明内容

本发明有关于一种半导体封装件及其制造方法，避免半导体封装件的电磁干扰屏蔽元件与设于基板的下表面的电性接点电性连接而发生短路。

根据本发明的一实施例，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一基板、一半导体装置、一电路元件、一封装体及一电磁干扰屏蔽膜。基板具有一上表面且包括一接地元件。半导体装置设于基板的上表面。电路元件设于基板的上表面且具有一接地部，接地部电性连接于基板的接地元件。封装体包覆半导体装置及电路元件且具有一开孔，开孔露出电路元件的接地部。电磁干扰屏蔽膜覆盖封装体且经由开孔电性接触电路元件的接地部。

根据本发明的另一实施例，提出一种半导体封装件的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一基板，其中基板具有一上表面且包括一接地元件；设置一半导体装置及一电路元件于基板的上表面上，其中电路元件具有一接地部，接地部电性连接于基板的接地元件；形成一封装体包覆半导体装置及电路元件；形成一开孔于封装体，其中开孔露出电路元件的接地部；形成一电磁干扰屏蔽膜覆盖封装体，其中电磁干扰屏蔽膜经由开孔电性接触电路元件的接地部；以及，形成一切割狭缝，其中切割狭缝经过电磁干扰屏蔽膜、封装体与基板。

根据本发明的另一实施例，提出一种半导体封装件的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一基板，其中基板具有一上表面且包括一接地元件；设置一半导体装置及一电路元件于基板的上表面上，其中电路元件具有一接地部，接地部电性连接于基板的接地元件；形成一封装体包覆半导体装置及电路元件；形成一开孔于封装体，其中开孔露出电路元件的接地部；形成一第一切割狭缝，其中第一切割狭缝经过封装体；形成一电磁干扰屏蔽膜覆盖封装体，其中电磁干扰屏蔽膜经由开孔电性接触电路元件的接地部；以及，形成一第二切割狭缝，其中第二切割狭缝经过基板。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的剖视图。

图2绘示图1的半导体封装件的上视图。

图3绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。

图4绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。

图5A绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。

图5B绘示图5A的上视图。

图6绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。

图7A至7G绘示图1的半导体封装件的制造过程图。

图8A至8D绘示图3的半导体封装件的制造过程图。

图9绘示图4的半导体封装件的制造过程图。

图10A至10F绘示图5A的半导体封装件的制造过程图。

图11绘示图6的半导体封装件的制造过程图。

主要元件符号说明：

100、200、300、400、500：半导体封装件

110：基板

111：接地元件

110u、130u、140u、430u：上表面

110b、130b：下表面

110s、140s、150s、430s：外侧面

1111：图案化线路层

1112：导通孔

120：半导体装置

130、430：电路元件

131、431：接地部

140：封装体

141：开孔

141s：内侧壁

150：电磁干扰屏蔽膜

160：接垫

170、171：电性接点

D1、D2：内径

L1：长度

H1：高度

H2：间距

S1：切割狭缝

S2：第一切割狭缝

S3：第二切割狭缝

W1、W2：宽度

具体实施方式