[发明专利]光栅耦合器及其制作方法有效
| 申请号： | 201110294691.7 | 申请日： | 2011-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102323646A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 仇超 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/34 | 分类号： | G02B6/34;G02B6/124;G02B6/136 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光栅 耦合器 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光栅耦合器，包括绝缘层上硅衬底，所述绝缘层上硅衬底包括背衬底、埋氧化层、顶硅层，其特征在于：还包括在顶层硅中形成的光波导，作为光传输层；光波导上的氧化层，用作刻蚀阻挡层；氧化层上的多晶硅光栅，将光波导中传输的光耦合到光纤中。
2.一种根据权利要求1所述的光栅耦合器的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
刻蚀绝缘层上硅衬底的顶硅层，形成光波导；
在光波导上热氧化生长氧化层，在氧化层上沉积多晶硅层；
刻蚀所述多晶硅层，形成光栅。
3.根据权利要求2所述的光栅耦合器的制作方法，其特征在于：所述刻蚀绝缘层上硅衬底的顶硅层，形成光波导的步骤与CMOS的有源区刻蚀工艺兼容，所述刻蚀所述多晶硅层，形成光栅的步骤与CMOS的栅极区刻蚀工艺兼容。
4.根据权利要求3所述的光栅耦合器的制作方法，其特征在于：所述氧化层为二氧化硅，与CMOS的栅氧化层制作工艺兼容。
5.根据权利要求4所述的光栅耦合器的制作方法，其特征在于：所述氧化层的厚度为10-100埃。
6.根据权利要求2所述的光栅耦合器的制作方法，其特征在于：所述多晶硅层的厚度小于2500埃。
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