[发明专利]一种柔性TFT阵列基板及其制造方法和显示装置

权利要求书

1.一种柔性TFT阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

在柔性基板上形成金属层，通过第一次构图工艺处理得到栅线和栅极；

在所述栅线和栅极上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成石墨烯层，通过第二次构图工艺处理及氢化处理得到由石墨烯构成的半导体有源层；

在所述石墨烯层上，通过第三次构图工艺处理得到由石墨烯构成的数据线、源极、漏极和像素电极；其中，所述源极与所述半导体有源层相接触，所述漏极与所述半导体有源层相接触，形成TFT沟道，所述像素电极与所述漏极相接触；

在所述数据线、源极、半导体有源层、漏极、像素电极之上形成保护层。

2.根据权利要求1所述的柔性TFT阵列基板制造方法，其特征在于，在所述栅绝缘层上形成石墨烯层，通过第二次构图工艺处理及氢化处理得到由石墨烯构成的半导体有源层包括：

在所述栅绝缘层上，利用等离子体增强化学气相沉积法沉积一层石墨烯材料，或者旋涂一层水溶性单层或多层石墨烯材料，形成石墨烯层；

在所述石墨烯层上涂覆光刻胶，经过曝光、显影后露出沟道区的石墨烯；

利用H₂，或H₂和Ar₂的混合气体对所述沟道区的石墨烯进行氢化处理；

剥离掉剩余的光刻胶，在所述栅极的上方得到由石墨烯构成的半导体有源层。

3.根据权利要求1或2所述的柔性TFT阵列基板制造方法，其特征在于，所述半导体有源层的宽度小于所述栅极的宽度，使得形成TFT沟道的所述源极与所述半导体有源层相接触的区域，以及所述漏极与所述半导体有源层相接触的区域均位于所述栅极的上方。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述栅绝缘层为有机树脂构成。

5.一种柔性TFT阵列基板，其特征在于，包括：

柔性基板；

所述柔性基板上形成有栅线和栅极；

所述栅线和栅极上形成有栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成有由石墨烯构成的数据线、源极、半导体有源层、漏极和像素电极；其中，所述源极与所述半导体有源层相接触，所述漏极与所述半导体有源层相接触，形成TFT沟道，所述像素电极与所述漏极相接触；

在所述数据线、源极、半导体有源层、漏极和像素电极上形成有保护层。

6.根据权利要求5所述的柔性TFT阵列基板，其特征在于，所述柔性基板的材料包括聚对苯二甲酸乙二醇酯或塑料。

7.根据权利要求5所述的柔性TFT阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层的材料为有机树脂。

8.根据权利要求5所述的柔性TFT阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层的材料为包括聚丙烯酸酯，或聚甲基丙烯酸甲酯，或聚酰亚胺等的柔性材料。

9.根据权利要求5所述的柔性TFT阵列基板，其特征在于，所述半导体有源层的石墨烯为经过氢化处理后的石墨烯层。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求5～9任一所述的柔性TFT阵列基板。