[发明专利]一种柔性TFT阵列基板及其制造方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶面板制造领域，尤其涉及一种柔性TFT阵列基板及其制造方法和显示装置。

背景技术

在现有的柔性显示器生产过程当中，TFT(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)器件多采用多晶或非晶硅材料制作半导体有源层，同时采用金属氧化物制作栅绝缘层和采用氧化铟锡作为像素电极。

现有材料构成的柔性TFT阵列基板在多次弯曲和折叠之后很容易出现龟裂，从而导致液晶面板出现黑线、亮线或斑点，甚至直接导致显示屏的毁坏，影响产品良率。

发明内容

本发明提供一种柔性TFT阵列基板及其制造方法和显示装置，能够降低柔性TFT基板发生龟裂的可能。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种TFT阵列基板制造方法，包括：

在柔性基板上形成金属层，通过第一次构图工艺处理得到栅线和栅极；

在所述栅线和栅极上形成有栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成石墨烯层，通过第二次构图工艺处理及氢化处理得到由石墨烯构成的半导体有源层；

在所述石墨烯层上，通过第三次构图工艺处理得到由石墨烯构成的数据线、源极、漏极和像素电极；其中，所述源极与所述半导体有源层相接触，所述漏极与所述半导体有源层相接触，形成TFT沟道，所述像素电极与所述漏极相接触；

在所述数据线、源极、半导体有源层、漏极、像素电极之上形成保护层。

另一方面，提供一种TFT阵列基板，包括：

柔性基板；

所述柔性基板上形成有栅线和栅极；

所述栅线和栅极上形成有栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成有由石墨烯构成的数据线、源极、半导体有源层、漏极和像素电极；其中，所述源极与所述半导体有源层相接触，所述漏极与所述半导体有源层相接触，形成TFT沟道，所述像素电极与所述漏极相接触；

在所述数据线、源极、半导体有源层、漏极和像素电极上形成有保护层。

再一方面，提供一种显示装置，包括上述的任意一种柔性TFT阵列基板。

本发明实施例提供了一种柔性TFT阵列基板及其制造方法和显示装置，利用石墨烯作为半导体有源层、源极、漏极和像素电极，利用有机树脂等柔性材料作为栅绝缘层来制备TFT阵列基板。这样得到的TFT阵列基板，即使在多次弯曲和折叠之后，也很少发生龟裂，从而提高了产品质量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的柔性TFT阵列基板制造方法的流程示意图；

图2为本发明实施例提供的柔性TFT阵列基板制造方法过程中的基板结构示意图一；

图3为本发明实施例提供的柔性TFT阵列基板制造方法过程中的基板结构示意图二；

图4为本发明实施例提供的柔性TFT阵列基板制造方法过程中的基板结构示意图三；

图5为本发明实施例提供的柔性TFT阵列基板制造方法过程中的基板结构示意图四；

图6为本发明实施例提供的柔性TFT阵列基板制造方法过程中的基板结构示意图五；

图7为本发明实施例提供的柔性TFT阵列基板制造方法过程中的基板结构示意图六；

图8为本发明实施例提供的柔性TFT阵列基板制造方法过程中的基板结构示意图七；

图9为本发明实施例提供的柔性TFT阵列基板制造方法过程中的基板结构示意图八。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供的一种柔性TFT阵列基板制造方法，如图1所示，其步骤包括：

S101、在柔性基板上形成金属层，通过第一次构图工艺处理得到栅线和栅极。