[发明专利]基板

权利要求书

1.一种基板，至少一覆晶式发光二极管芯片适于配置于该基板上，该基板包括：

一基底，具有相对的一第一表面与一第二表面；

一金属反射层，配置于该基底的该第一表面上；以及

一抗氧化层，覆盖该金属反射层，而该金属反射层位于该抗氧化层与该基底的该第一表面之间。

2.根据权利要求1所述的基板，其中该金属反射层具有一第一线路结构以及与该第一线路结构连接的多个第一接垫，该抗氧化层曝露出该些第一接垫，而该覆晶式发光二极管芯片通过该些第一接垫与该第一线路结构电性连接。

3.根据权利要求1所述的基板，其中该覆晶式发光二极管芯片适于发出一光束，部分的该光束传递至该抗氧化层，且被该抗氧化层反射而远离该基底。

4.根据权利要求3所述的基板，其中该抗氧化层为一分散式布拉格反射层。

5.根据权利要求4所述的基板，其中该抗氧化层包括多个高折射率层以及多个低折射率层，其中该些高折射率层与该些低折射率层交替堆叠。

6.根据权利要求5所述的基板，其中该高折射率层的折射率大于或等于2，而该低折射率层的折射率小于或等于1.7。

7.根据权利要求5所述的基板，其中该高折射率层的材料是选自于：硅、五氧化二钽、二氧化钛、五氧化三钛或五氧化二铌，而该低折射率层的材料是选自于：二氧化硅或氟化镁。

8.根据权利要求1所述的基板，其中该基底的该第一表面的粗糙度小于0.3微米。

9.根据权利要求1所述的基板，其中该抗氧化层的材质是选自于：硅、五氧化二钽、二氧化钛、五氧化三钛、五氧化二铌、二氧化硅、氟化镁或其组合。

10.根据权利要求1所述的基板，其中还包括一导电层，该导电层配置于该基底的该第一表面与该金属反射层之间，且该导电层具有一第二线路结构以及与该第二线路结构连接的多个第二接垫，该抗氧化层以及该金属反射层曝露出该些第二接垫，而该覆晶式发光二极管芯片通过该些第二接垫与该第二线路结构电性连接。

11.一种基板，至少一发光二极管芯片适于配置于该基板上，该基板包括：

一基底，具有相对的一第一表面与一第二表面；

一金属反射层，配置于该基底的该第一表面上；以及

一抗氧化层，覆盖该金属反射层，而该金属反射层位于该抗氧化层与该基底的该第一表面之间，其中该金属反射层具有一第一线路结构以及与该第一线路结构连接的多个第一接垫，该抗氧化层曝露出该些第一接垫，而该发光二极管芯片通过导线让该发光二极管芯片该第一接垫电性连接。

12.根据权利要求11所述的基板，其中该发光二极管芯片适于发出一光束，部分的该光束传递至该抗氧化层并被该抗氧化层反射而远离该基底。

13.根据权利要求11所述的基板，其中该抗氧化层为一分散式布拉格反射层。

14.根据权利要求13所述的基板，其中该抗氧化层包括多个高折射率层以及多个低折射率层，其中该些高折射率层与该些低折射率层交替堆叠。

15.根据权利要求14所述的基板，其中该高折射率层的折射率大于或等于2，而该低折射率层的折射率小于或等于1.7。

16.根据权利要求14所述的基板，其中该高折射率层的材料是选自于：硅、五氧化二钽、二氧化钛、五氧化三钛或五氧化二铌，而该低折射率层的材料是选自于：二氧化硅或氟化镁。

17.根据权利要求11所述的基板，其中该基底的该第一表面的粗糙度小于0.3微米。

18.根据权利要求11所述的基板，其中该抗氧化层的材质是选自于：硅、五氧化二钽、二氧化钛、五氧化三钛、五氧化二铌、二氧化硅、氟化镁或其组合。

19.根据权利要求11所述的基板，其中还包括一导电层，该导电层配置于该基底的该第一表面与该金属反射层之间，且该导电层具有一第二线路结构以及与该第二线路结构连接的多个第二接垫，该抗氧化层以及该金属反射层曝露出该些第二接垫，而该发光二极管芯片通过导线让该发光二极管芯片该第二接垫电性连接。