[发明专利]基板

说明书

技术领域

本发明涉及一种基板，尤其涉及一种适于与发光二极管芯片共晶接合的基板。

背景技术

在环保意识高涨的今日，人们除了积极地寻找再生能源之外，亦不断地投入节能产品的开发。以照明产品为例，一种节能环保的光源，即发光二极管(light emitting diode，LED)芯片，已被开发出来。发光二极管芯片藉由在P-N接面中重组电子与电洞来发光。相较于传统光源，发光二极管芯片具有低消耗功率(power consumption)及长寿命等优点，因此已被广泛地运用在各领域中。

发光二极管芯片是一种电流驱动元件，其需藉由适当的驱动电路驱动之。一般而言，发光二极管芯片会封装于具有驱动电路的基板上。发光二极管芯片封装于基板上的技术主要可分为打线技术(wire bonding)与覆晶(flip-chip)技术。打线技术是将发光二极管芯片利用银胶或是共晶技术将发光二极管芯片背面固定于基板上，再利用打线的方式让发光二极管芯片利用金属线与基板上的连结点连接。覆晶技术，也称倒晶封装法，是将发光二极管芯片正面与基板利用金球或共晶技术固定于基板上。上述共晶技术是将发光二极管芯片正/背面蒸镀或溅镀上一层共晶焊料(eutectic solder)。接着，在基板的焊垫上镀上一层黄金。然后，将基板置于加热板上加热至共晶焊料的熔点之后，再将发光二极管芯片压合于焊垫上并使焊垫上的黄金与发光二极管芯片上的共晶焊料结合在一起。之后，将基板的温度下降至共晶焊料的熔点之下，而使共晶焊料固化，即完成固晶(die bonding)作业。然而，为增加发光二极管芯片的光利用效率，现有基板的最外层多设有金属反射层。当发光二极管芯片以上述的共晶技术进行封装时，基板的金属反射层会曝露在高温的环境中，而易与外界气体作用，进而发生氧化的问题。

发明内容

本发明提供一种基板，其可改高温制程中金属反射层易被氧化的问题。

本发明的其他目的和优点可以从本发明所揭示的技术特征中得到进一步的了解。

为达上述的一或部分或全部目的或是其他目的，本发明的一实施例提出一种基板，其包括基底、金属反射层以及抗氧化层。基底具有相对的第一表面与第二表面。金属反射层配置于基底的第一表面上。抗氧化层覆盖金属反射层。金属反射层位于抗氧化层与基底的第一表面之间。至少一发光二极管芯片或是一覆晶式发光二极管芯片适于配置于基板上。

换言之，一种基板，至少一覆晶式发光二极管芯片适于配置于该基板上，该基板包括：基底、金属反射层、抗氧化层；基底具有相对的一第一表面与一第二表面；金属反射层配置于该基底的该第一表面上；抗氧化层覆盖该金属反射层，而该金属反射层位于该抗氧化层与该基底的该第一表面之间。

本发明的另一实施例提出一种基板，至少一发光二极管芯片适于配置于该基板上，该基板包括：基底、金属反射层、抗氧化层；基底具有相对的一第一表面与一第二表面；金属反射层配置于该基底的该第一表面上；抗氧化层覆盖该金属反射层，而该金属反射层位于该抗氧化层与该基底的该第一表面之间，其中该金属反射层具有一第一线路结构以及与该第一线路结构连接的多个第一接垫，该抗氧化层曝露出该些第一接垫，而该发光二极管芯片通过导线让该发光二极管芯片该第一接垫电性连接。

在本发明的一实施例中，上述的金属反射层具有第一线路结构以及与第一线路结构连接的多个第一接垫。抗氧化层曝露出第一接垫，发光二极管芯片通过导线与第一接垫电性连接，进而与第一线路结构电性连接，而覆晶式发光二极管芯片则是通过第一接垫与第一线路结构电性连接。

在本发明的一实施例中，上述的基板可进一步包括导电层。所述的导电层配置于基底的第一表面与金属反射层之间，且导电层具有第二线路结构以及与第二线路结构连接的多个第二接垫。抗氧化层以及金属反射层曝露出第二接垫，发光二极管芯片通过导线与第二接垫电性连接，进而与第二线路结构电性连接，而覆晶式发光二极管芯片通过第二接垫与第二线路结构电性连接。

在本发明的一实施例中，上述的发光二极管芯片/覆晶式发光二极管芯片发出光束。部分的光束传递至抗氧化层且被抗氧化层反射而远离基底。

在本发明的一实施例中，上述的抗氧化层为分散式布拉格反射层(distributed Bragg reflector，DBR)。

在本发明的一实施例中，上述的抗氧化层包括多个高折射率层以及多个低折射率层，其中高折射率层与低折射率层交替堆叠，每一高折射率层或低折射率层的光穿透度高于92％。