[发明专利]绝缘体上硅结构及其制造方法、半导体器件无效
| 申请号： | 201110296304.3 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102315154A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 李乐 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘体 结构 及其 制造 方法 半导体器件 | ||
1.一种具有浅沟槽隔离的绝缘体上硅结构，其特征在于包括邻接的第一部分和第二部分；
其中所述第一部分包括硅顶层、掩埋氧化物层、硅基底层，其中所述硅顶层中形成有电路和第一浅沟槽隔离区域，并且所述第一浅沟槽隔离区域穿过所述掩埋氧化物层并进入所述硅基底层；
并且所述第二部分仅具有硅基底层，且所述硅基底层中形成了第二浅沟槽隔离区域。
2.根据权利要求1所述的具有浅沟槽隔离的绝缘体上硅结构，其特征在于，所述掩埋氧化物层、所述第一浅沟槽隔离区域和第二浅沟槽隔离区域具有同种材料。
3.根据权利要求1或2所述的具有浅沟槽隔离的绝缘体上硅结构，其特征在于，所述绝缘体上硅结构包括绝缘体上锗结构。
4.一种半导体器件，其特征在于包括根据权利要求1至3之一所述的具有浅沟槽隔离的绝缘体上硅结构。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为MOS晶体管。
6.一种具有浅沟槽隔离的绝缘体上硅结构的制造方法，其特征在于包括：
提供基片，所述基片具有硅顶层、掩埋氧化物层以及硅基底层；
在所述基片中形成多个浅沟槽隔离区域，使得所述多个沟槽隔离区域穿过所述硅顶层和所述掩埋氧化物层并进入所述硅基底层；以及
对形成有所述多个浅沟槽隔离区域的基片进行刻蚀，使得部分地去除所述基片的所述硅顶层和所述掩埋氧化物层。
7.一种具有浅沟槽隔离的绝缘体上硅结构的制造方法，其特征在于包括：提供基片，所述基片具有硅顶层、掩埋氧化物层以及硅基底层；
对所述基片进行刻蚀，以将所述基片分成第一部分和第二部分的基片，其中第二部分基片中的掩埋氧化物层、硅基底层被去除；以及
分别在所述第一部分和所述第二部分中形成第一浅沟槽隔离区域以及第二浅沟槽隔离区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110296304.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
