[发明专利]多视场梯度线圈无效
申请号: | 201110296777.3 | 申请日: | 2011-09-23 |
公开(公告)号: | CN102540124A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | T·J·霍利斯;C·奇雷尔 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | G01R33/385 | 分类号: | G01R33/385 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张金金;朱海煜 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 视场 梯度 线圈 | ||
1.一种磁共振成像(MRI)系统(10)的线圈组件(100、101),所述线圈组件(100、101)包括:
一次梯度线圈(102);以及
校正器线圈(104),所述校正器线圈(104)的至少一部分与所述一次梯度线圈(102)的一部分交织使得所述一次梯度线圈(102)的所述一部分与所述校正器线圈(104)的所述一部分同心。
2.如权利要求1所述的线圈组件(100、101),其中所述一次梯度线圈(102)与所述校正器线圈(104)共径向。
3.如权利要求1所述的线圈组件(100、101),其中所述一次梯度线圈(102)包括一对电力连接,并且所述校正器线圈(104)包括不同的第二对电力连接,所述一次梯度线圈(102)电力连接与所述校正器线圈(104)电力连接位于一处。
4.如权利要求1所述的线圈组件(100、101),其中所述线圈组件(100、101)分成一个个分段,每个分段包括所述一次梯度线圈(102)的一部分、围绕一次梯度线圈(102)的所述一部分缠绕的所述校正器线圈(104)的一部分,以及交织部分,所述交织部分包括所述一次梯度线圈(102)的一部分和所述校正器线圈(104)的一部分。
5.如权利要求1所述的线圈组件(100、101),其中所述校正器线圈(104)当受到在第一方向上流过所述校正器线圈(104)的电流时产生第一视场FOV(162、164、166),并且当受到在相反的第二方向上流过所述校正器线圈(104)的电流时产生不同的第二FOV(172、174、176)。
6.如权利要求1所述的线圈组件(100、101),其中所述一次梯度线圈(102)和所述校正器线圈(104)串联设置,所述校正器线圈(104)产生比与单独所述一次梯度线圈(102)关联的FOV(162、164、166)更大的视场FOV(162、164、166)或更小的FOV(172、174、176)。
7.如权利要求1所述的线圈组件(100、101),其中所述一次梯度线圈(102)和所述校正器线圈(104)各自缠绕成螺旋,所述校正器线圈(104)具有不同于所述一次线圈的外径的外径。
8.如权利要求1所述的线圈组件(100、101),其中所述线圈组件(100、101)进一步包括从所述一次梯度线圈(102)和所述校正器线圈(104)向外径向设置的高阶梯度线圈(110)。
9.一种磁共振成像MRI系统,其包括:
设置在磁体内的一次梯度线圈(102);以及
校正器线圈(104),所述校正器线圈(104)的至少一部分与所述一次梯度线圈(102)的一部分交织使得所述一次梯度线圈(102)的所述一部分与所述校正器线圈(104)的所述一部分同心。
10.如权利要求9所述的MRI系统(10),其中所述一次梯度线圈(102)与所述校正器线圈(104)共径向。
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