[发明专利]多视场梯度线圈无效
申请号: | 201110296777.3 | 申请日: | 2011-09-23 |
公开(公告)号: | CN102540124A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | T·J·霍利斯;C·奇雷尔 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | G01R33/385 | 分类号: | G01R33/385 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张金金;朱海煜 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 视场 梯度 线圈 | ||
技术领域
本文公开的主旨大体上涉及梯度线圈,并且更特别地涉及能够在成像系统中产生多个视场(FOV)的梯度线圈。
背景技术
磁共振成像(MRI)系统典型地包括超导磁体,其在成像体积内产生一次磁场。该MRI系统还可包括梯度线圈来在该磁体的膛的周围产生梯度场。一般,患者安置在检查台架上并且插入该磁体的膛中。该磁体产生通过该膛的均匀磁场B0。这些梯度线圈围绕该膛延伸并且被激励来在该均匀磁场上施加时间和空间变化的磁场。
一般来说,较大的FOV降低该相应梯度线圈的性能评定。即,具有较大FOV的梯度线圈需要比具有较小FOV的梯度线圈更多的电力来产生给定的梯度强度。因为线圈电感随FOV大小增加,对于给定的电力供应,转换率(即可以由具有大FOV的梯度线圈产生的磁场梯度的最大变化率)被降低。另外,因为具有较大FOV的梯度线圈典型地将患者暴露于较高的磁场变化率(dB/dt),其可导致外周神经刺激,利用较高梯度功率和较高转换率的成像规程一般在配备有小FOV梯度设置的MRI系统上执行。因此,对特定成像程序优化FOV是可取的。
为了对特定成像程序优化FOV,至少一个已知的MRI系统包括至少一个梯度线圈和与该梯度线圈分开安装的不同的高阶梯度线圈。典型地,该高阶梯度线圈从一次梯度线圈向外径向安装使得该高阶梯度线圈与该梯度线圈径向分开一定距离或间隔。在操作期间,改变该高阶梯度线圈的磁场来增加或减小FOV的大小。然而,制造包括安装在两个不同的径向位点的两个分开的梯度线圈的成像系统增加该成像系统的复杂性,其还可导致制造该成像系统增加的成本。
发明内容
在一个实施例中,提供磁共振成像(MRI)系统的线圈组件。该线圈组件包括一次梯度线圈和校正器线圈,该校正器线圈的至少一部分与该一次梯度线圈的一部分交织使得该一次梯度线圈的该一部分与该校正器线圈的该一部分同心。
在另一个实施例中,提供磁共振成像(MRI)系统。该MRI系统包括围绕磁体设置的一次梯度线圈,以及校正器线圈,该校正器线圈的至少一部分与该一次梯度线圈的一部分交织使得该一次梯度线圈的该一部分与该校正器线圈的该一部分同心。
在另外的实施例中,提供制造磁共振成像(MRI)系统的线圈组件的方法。该方法包括在中心轴线周围缠绕一次梯度线圈,并且缠绕校正器线圈,使得该校正器线圈的至少一部分与该一次梯度线圈的一部分交织,并且使得该一次梯度线圈的该一部分围绕该中心轴线与该校正器线圈的该一部分同心。
附图说明
图1是根据各种实施例形成的示范性成像系统的示意框图。
图2是根据各种实施例的可与图1中示出的系统一起使用的示范性线圈组件的透视图。
图3是图2中示出的线圈组件的分解图。
图4是根据各种实施例的在图2和3中示出的线圈组件的平面图。
图5是根据各种实施例的在图2中示出的线圈组件的剖视图。
具体实施方式
本发明的实施例当与附图结合阅读时将更好理解。就图图示各种实施例的功能框的图来说,功能框不必定指示硬件电路之间的划分。从而,例如,功能框(例如处理器、控制器或存储器)中的一个或多个可采用单件硬件(例如,通用信号处理器或随机存取存储器、硬盘或类似物)或多件硬件实现。相似地,程序可是独立程序,可作为子例程包含在操作系统中,可是安装的软件包中的功能等。应该理解各种实施例不限于图中示出的设置和手段。
如本文使用的,采用单数列举的并且具有单词“一”在前的元件或步骤应该理解为不排除复数个所述元件或步骤,除非这样的排除明确地陈述。此外,对“一个实施例”的引用不意在解释为排除也包含列举的特征的另外的实施例的存在。此外,除非相反地明确陈述,否则“包括”或“具有”具有特定性质的元件或多个元件的实施例可包括不具有该性质的另外的这样的元件。
本文描述的各种实施例提供能够在成像系统中产生多个视场的梯度线圈。通过实践至少一个实施例和各种实施例的至少一个技术效果,使人员能够修改该梯度线圈的性能特性并且还能够修改该梯度线圈的FOV。
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