[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括前道制程、后道制程和固定步骤，所述前道制程和后道制程同时进行，其中，

所述前道制程包括：

提供一半导体衬底，形成核心电路，所述核心电路上形成有引出连线层；

在所述半导体衬底的核心电路旁形成第一穿透硅通孔；

在所述第一穿透硅通孔中形成第一通孔金属层；

所述后道制程包括：

提供一基底，由下至上依次形成顶层互连层至底层互连层，所述底层互连层与所述核心电路的引出连线层位置相适配；

在所述基底上形成第二穿透硅通孔，所述第二穿透硅通孔与所述顶层互连层中金属连线连通，且所述第二穿透硅通孔与所述第一穿透硅通孔相适配；

在所述第二穿透硅通孔中形成第二通孔金属层；

所述固定步骤包括：

将所述基底倒置于所述半导体衬底上，使所述第一通孔金属层与所述第二通孔金属层相连接，并使所述底层互连层的金属引线与所述引出连线层的金属连线的相连接。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括：

在形成所述第一通孔金属层之后，对所述引出连线层的隔离介质层进行回刻蚀工艺，露出部分所述第一通孔金属层和引出连线层的金属引线；

在形成所述第二通孔金属层之后，对所述底层互连层进行回刻蚀工艺，露出部分所述第二通孔金属层和所述底层互连层的金属引线；

在将所述基底倒置于所述半导体衬底之后，向所述底层互连层与所述引出连线层之间通入有机聚合物，以固定所述底层互连层与所述引出连线层。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述有机聚合物为树脂材料。

4.如权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一通孔金属层与所述第二通孔金属层采用电镀的方法形成。

5.如权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一穿透硅通孔和所述第二穿透硅通孔的孔径为300nm～3000nm。

6.如权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底的远离核心电路的一面上形成有氮化硅停止层，在所述核心电路一侧形成第一穿透硅通孔的步骤中，刻蚀所述半导体衬底，停止于所述氮化硅停止层上。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述第一通孔金属层形成之后，采用湿法刻蚀去除所述氮化硅停止层。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述氮化硅停止层的厚度为3000nm～7000nm。

9.如权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述基底的材料为硅、锗或硅锗化合物中的一种或其组合。