[发明专利]半导体器件中的射频信号的传输结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201110298179.X | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102427021A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 刘巍;李乐;孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 中的 射频 信号 传输 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件中的射频信号的传输结构的形成方法，包括：
提供绝缘体上硅衬底；
其特征在于，还包括：
形成位于部分所述绝缘体上硅衬底表面的导电层，所述导电层接地；
形成覆盖所述绝缘体上硅衬底表面和导电层的互连金属层，所述互连金属层包括介质层和位于所述介质层内的金属层，且所述金属层位于所述导电层的正上方。
2.如权利要求1所述的半导体器件中的射频信号的传输结构的形成方法，其特征在于，所述导电层的材料为金属硅化物。
3.如权利要求2所述的半导体器件中的射频信号的传输结构的形成方法，其特征在于，所述金属硅化物中的金属为钴或镍。
4.如权利要求1所述的半导体器件中的射频信号的传输结构的形成方法，其特征在于，所述金属层的面积小于等于所述导电层的面积。
5.如权利要求4所述的半导体器件中的射频信号的传输结构的形成方法，其特征在于，所述金属层的面积比所述导电层的面积小0-15％。
6.如权利要求1所述的半导体器件中的射频信号的传输结构的形成方法，其特征在于，所述金属层到所述导电层的距离为
7.如权利要求1所述的半导体器件中的射频信号的传输结构的形成方法，其特征在于，所述绝缘体上硅衬底的厚度为
8.一种采用权利要求1-7中任一种方法形成的半导体器件中的射频信号的传输结构，包括：
绝缘体上硅衬底；
其特征在于，还包括：
位于部分所述绝缘体上硅衬底表面的导电层，所述导电层接地；
覆盖所述绝缘体上硅衬底表面和导电层的互连金属层，所述互连金属层包括介质层和位于所述介质层内的金属层，且所述金属层位于所述导电层的正上方。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
