[发明专利]半导体器件中的射频信号的传输结构及其形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及半导体器件中的射频信号的传输结构及其形成方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，为了降低制造和设计成本，通常希望在单个集成电路上包含更多的功能。例如，在无线通信系统中，希望在作为数字逻辑电路的同一个集成电路上包括射频电路。

现有技术中，如果直接采用普通的衬底形成既包括数字逻辑电路又包括射频电路的集成电路，所述射频电路会引起衬底和集成电路电感器的耦合，并且集成电路电感器的电感性能下降。为了在单个集成电路上集成更多的功能，通常采用绝缘体上硅(SOI)作为衬底来解决上述问题，且可以降低直流功耗，具有优良的抗串扰能力。现有技术半导体器件中的射频信号的传输结构的形成方法，包括：

请参考图1，提供绝缘体上硅衬底100，所述绝缘体上硅衬底100包括接地的背衬底101、位于所述背衬底表面的氧化层102及位于所述氧化层102表面的硅薄膜103；

请参考图2，刻蚀所述硅薄膜103和氧化层102，形成开口105，所述开口105暴露出所述背衬底101表面；

请参考图3，通过所述开口105向所述背衬底101内注入掺杂离子107；

请参考图4，待注入完所述掺杂离子107后，向所述开口内填充与所述硅薄膜103齐平的氧化薄膜109；

请参考图5，形成位于所述绝缘体上硅衬底100表面的互连金属层，所述互连金属层包括覆盖所述绝缘体上硅衬底100的介质层111，以及位于所述介质层111内、且位于所述氧化薄膜109正上方的金属层113。

然而，现有技术形成的半导体器件中的射频信号的传输结构的形成方法复杂，且形成的半导体器件中的射频信号的传输结构，在进行射频信号传输时信号线性度(linearity)不高，接收到的信号的质量差。

更多关于射频信号的资料请参考专利号为“US6743662B2”的美国专利。

发明内容

本发明的实施例解决的问题是提供一种形成工艺简单、且信号的线性度高的半导体器件中的射频信号的传输结构及其形成方法。

为解决上述问题，本发明提供了一种半导体器件中的射频信号的传输结构的形成方法，包括：

提供绝缘体上硅衬底；

形成位于部分所述绝缘体上硅衬底表面的导电层，所述导电层接地；

形成覆盖所述绝缘体上硅衬底表面和导电层的互连金属层，所述互连金属层包括介质层和位于所述介质层内的金属层，且所述金属层位于所述导电层的正上方。

可选地，所述导电层的材料为金属硅化物。

可选地，所述金属硅化物中的金属为钴或镍。

可选地，所述金属层的面积小于等于所述金属层的面积。

可选地，所述金属层的面积比所述导电层的面积小0-15％。

可选地，所述金属层到所述导电层的距离为

可选地，所述绝缘体上硅衬底的厚度为

本发明实施例的发明人还提供了一种采用上述方法形成的半导体器件中的射频信号的传输结构，包括：

绝缘体上硅衬底；

位于部分所述绝缘体上硅衬底表面的导电层，所述导电层接地；

覆盖所述绝缘体上硅衬底表面和导电层的互连金属层，所述互连金属层包括介质层和位于所述介质层内的金属层，且所述金属层位于所述导电层的正上方。

与现有技术相比，本发明的实施例具有以下优点：

本发明实施例中，所述导电层形成在绝缘体上硅衬底表面，且所述导电层接地，用于屏蔽所述射频信号，使得发射到所述导电层上的信号全部被所述导电层吸收，而不会重新反射到金属层上，所述射频信号传输的信号线性度好，信号的质量高。

进一步的，本发明的实施例中，所述导电层采用的材料为金属硅化物，所述金属硅化物与源/漏区表面的金属硅化物层在同一工艺步骤中形成，节省了工艺时间。

更进一步的，本发明的实施例中，为了使所述金属层发出的射频信号不被绝缘体上硅衬底反射回，所述导电层的面积大于等于位于所述金属层的面积。且为了降低耦合效应，所述金属层到所述导电层的距离为

附图说明

图1-图5是现有技术的半导体器件中的射频信号的传输结构的形成方法；

图6是本发明实施例的半导体器件中的射频信号的传输结构的流程示意图；

图7-图9是本发明实施例的半导体器件中的射频信号的传输结构的形成过程的剖面结构示意图。

具体实施方式