[发明专利]共享源线的闪存单元及其形成方法

权利要求书

1.一种共享源线的闪存单元，包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的源线；依次位于所述源线两侧半导体衬底表面的浮栅介质层、浮栅、控制栅介质层和控制栅；位于所述源线与浮栅、控制栅之间的侧墙介质层；位于浮栅、控制栅远离源线的侧壁，以及与所述侧壁近邻的半导体衬底表面的隧穿氧化层；位于所述隧穿氧化层表面的字线；位于所述字线远离源线一侧的半导体衬底内的漏极；位于与源线正对的半导体衬底内的源极；其特征在于，所述浮栅具有靠近源线的掺杂类型为p型的p型掺杂端，其余部分的掺杂类型为n型。

2.依据权利要求1所述的共享源线的闪存单元，其特征在于：所述源极、漏极的掺杂类型为n型。

3.依据权利要求1所述的共享源线的闪存单元，其特征在于：所述p型掺杂端的掺杂浓度为1×10²⁰/cm³。

4.依据权利要求1所述的共享源线的闪存单元，其特征在于：所述p型掺杂端的掺杂离子为硼离子。

5.依据权利要求1所述的共享源线的闪存单元，其特征在于，所述p型掺杂端的长度是100-300埃。

6.依据权利要求1所述的共享源线的闪存单元，其特征在于，所述浮栅的长度是0.1-0.2微米。

7.依据权利要求1所述的共享源线的闪存单元，其特征在于，所述p型掺杂端的长度小于或者等于源极扩散到浮栅底部的长度。

8.一种共享源线的闪存单元的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底表面依次形成第一介质层、第一多晶硅层、第二介质层、第二多晶硅层，其中，所述第一多晶硅层的掺杂类型为n型；

依次刻蚀所述第二多晶硅层、第二介质层，形成暴露所述第一多晶硅层的凹槽；

沿所述凹槽向第一多晶硅层注入p型离子，并进行退火，使所注入的p型离子向两侧扩散；

退火后，沿所述凹槽依次刻蚀所述第一多晶硅层和第一介质层，直至暴露所述半导体衬底，并在所暴露的半导体衬底内形成源极；

形成源极后，先在所述凹槽侧壁形成侧墙介质层，再形成填充满所述凹槽的源线；

依次刻蚀所述第二多晶硅层、第二介质层、第一多晶硅层、第一介质层，直至暴露所述半导体衬底，形成依次位于半导体衬底表面的浮栅介质层、浮栅、控制栅介质层和控制栅；

形成隧穿氧化层、字线以及漏极。

9.依据权利要求8所述的共享源线的闪存单元的形成方法，其特征在于，所述p型离子为硼离子。

10.依据权利要求8所述的共享源线的闪存单元的形成方法，其特征在于，所述p型离子的注入能量为2-10keV，注入剂量为1-5×10¹⁶/cm²。

11.依据权利要求8所述的共享源线的闪存单元的形成方法，其特征在于，所述退火处理的温度是900-1200摄氏度。

12.依据权利要求8所述的共享源线的闪存单元的形成方法，其特征在于，所述退火处理在氨气环境下进行。

13.依据权利要求8所述的共享源线的闪存单元的形成方法，其特征在于，形成所述凹槽的步骤包括：在所述第二多晶硅层表面形成第二硬掩膜层，所述第二硬掩膜层具有暴露所述第二多晶硅层的第一开口；形成覆盖所述第一开口的侧壁和底部的隔离介质层，并刻蚀所述隔离介质层，直至暴露所述第二多晶硅层，形成第二开口；沿所述第二开口依次刻蚀所述第二多晶硅层和第二介质层，形成所述凹槽。