[发明专利]晶圆背面清洁设备以及晶圆背面清洁方法有效
申请号: | 201110298519.9 | 申请日: | 2011-09-28 |
公开(公告)号: | CN102427047B | 公开(公告)日: | 2012-04-25 |
发明(设计)人: | 王剑;毛智彪;戴韫青 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B5/02;H01L21/02 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 陆花 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 背面 清洁 设备 以及 方法 | ||
1.一种晶圆背面清洁设备,并入光阻涂布设备,其特征在于包括:布置在晶圆 下方的气体发射喷射器(11),所述气体发射喷射器(11)配置有朝向晶圆下表 面的喷气嘴(44),用于向晶圆下表面喷射气体(33);沿晶圆半径方向布置的 移动轨道(22),其中所述气体发射喷射器(11)布置在所述移动轨道(22)上, 以便在晶圆半径方向上移动;布置在晶圆下方的背部清洗器(3),用于向晶圆 下表面喷射有机溶剂(2);其中所述气体发射喷射器(11)和所述背部清洗器 (3)相对于晶圆中心对称布置。
2.一种晶圆背面清洁方法,在执行光阻涂布的同时执行所述晶圆背面清洁方法, 其特征在于包括:在晶圆下方布置气体发射喷射器(11),并利用所述气体发射 喷射器(11)的朝向晶圆下表面的喷气嘴(44)向晶圆下表面喷射气体(33); 将所述气体发射喷射器(11)布置在沿晶圆半径方向布置的移动轨道(22)上, 以便在晶圆半径方向上移动;在晶圆下方布置背部清洗器(3),以便向晶圆下 表面喷射有机溶剂(2),其中使所述气体发射喷射器(11)和所述背部清洗器 (3)相对于晶圆中心对称布置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110298519.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:媒体数据包的处理方法、设备以及会议系统
- 下一篇:一种聚焦型冷阴极X射线管
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造