[发明专利]晶圆背面清洁设备以及晶圆背面清洁方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及晶圆背面清洁设备 以及晶圆背面清洁方法。

背景技术

半导体芯片制造中，使用光刻机进行曝光来定义电路图形。当晶圆背面有 颗粒污染的时候，在曝光的过程中，会产生局部区域失焦，使得图形定义不完 整造成缺陷。

根据污染物发生的情况，大致可将污染物分为颗粒、有机物、金属污染物 及氧化物。粒子附着的机理主要有静电力，范德华力，化学键等。

在光刻工艺中，为了防止光阻涂布过程有机物光阻污染晶圆背面，通过在 背面喷射有机溶剂，以化学溶解清除光阻污染；图1即示出了根据现有技术的 晶圆背面清洁设备的示意图。

如图1所述，根据现有技术的晶圆背面清洁设备包括一个背面冲洗器3。在 向晶圆1的正面涂覆光阻5的过程中，背面冲洗器3对支撑在支撑部件4上的 晶圆1的背面的溶剂2(具体地说是有机溶剂)进行清洗，以去除由于化学键等 溶剂2引起的光阻污染。

但是，对于静电力附着的颗粒，有机溶剂并不能完全有效去除；并且，晶 圆背面颗粒进而降低曝光失焦。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种清 除晶圆背面颗粒以降低曝光失焦的晶圆背面清洁设备以及晶圆背面清洁方法。

根据本发明的第一方面，提供了一种晶圆背面清洁设备，其包括：布置在 晶圆下方的气体发射喷射器，所述气体发射喷射器配置有朝向晶圆下表面的喷 气嘴，用于向晶圆下表面喷射气体。

优选地，在上述晶圆背面清洁设备中，还包括沿晶圆半径方向布置的移动 轨道，其中所述气体发射喷射器布置在所述移动轨道上，以便在晶圆半径方向 上移动。优选地，所述气体发射喷射器喷射的气体是空气。

优选地，在上述晶圆背面清洁设备中，所述气体发射喷射器被并入光阻涂 布设备。

优选地，在上述晶圆背面清洁设备中，还包括布置在晶圆下方的背部清洗 器，用于向晶圆下表面喷射有机溶剂。

优选地，在上述晶圆背面清洁设备中，所述气体发射喷射器和所述背部清 洗器相对于晶圆中心对称布置。

通过利用根据本发明的第一方面的晶圆背面清洁设备，提供了一个向晶圆 下表面喷射气体的气体发射喷射器，从而可以清除晶圆背面颗粒以降低曝光失 焦。进一步，还配置了向晶圆下表面喷射有机溶剂的背部清洗器，并优选地使 气体发射喷射器和背部清洗器相对于晶圆中心对称布置，从而使得两者互不干 扰。

根据本发明的第二方面，提供了一种晶圆背面清洁方法，其包括：在晶圆 下方布置气体发射喷射器，并利用所述气体发射喷射器的朝向晶圆下表面的喷 气嘴向晶圆下表面喷射气体。

优选地，上述晶圆背面清洁方法还包括：将所述气体发射喷射器布置在沿 晶圆半径方向布置的移动轨道上，以便在晶圆半径方向上移动。优选地，所述 气体发射喷射器喷射的气体是空气。

优选地，在上述晶圆背面清洁方法中，在执行光阻涂布的同时执行所述晶 圆背面清洁方法。

优选地，上述晶圆背面清洁方法还包括：在晶圆下方布置背部清洗器，以 便向晶圆下表面喷射有机溶剂。

优选地，在上述晶圆背面清洁方法中，使所述气体发射喷射器和所述背部 清洗器相对于晶圆中心对称布置。

同样的，通过利用根据本发明的第二方面的晶圆背面清洁方法，提供了一 个向晶圆下表面喷射气体的气体发射喷射器，从而可以清除晶圆背面颗粒以降 低曝光失焦。进一步，还配置了向晶圆下表面喷射有机溶剂的背部清洗器，并 优选地使气体发射喷射器和背部清洗器相对于晶圆中心对称布置，从而使得两 者互不干扰。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整 的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示出了根据现有技术的晶圆背面清洁设备的示意图。

图2示出了根据本发明第一实施例的晶圆背面清洁设备的示意图。

图3示出了根据本发明第二实施例的晶圆背面清洁设备的示意图。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构 的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或 者类似的标号。

具体实施方式