[发明专利]静电放电保护装置

权利要求书

1.一种静电放电保护装置，其特征在于，该装置包括：

P型基底；

P型外延层，位于P型基底上；

N型埋层，位于P型基底中、P型外延层之间；

第一N型阱，位于N型埋层上、P型外延层之间；

第一P型阱，位于N型埋层之上，且与第一N型阱相邻；

第二N型阱，位于N型埋层之上、第一P型阱及P型外延层之间；

ESD掺杂注入层，位于第一P型阱与第一N型阱中；

第一N+型区，第一P+型区，位于ESD掺杂注入层中；

第二N+型区，第二P+型区，位于ESD掺杂注入层外，并且设置于与该ESD掺杂注入层导电类型相反的所述第一N型阱或所述第一P型阱中。

2.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于：ESD掺杂注入层为N型掺杂。

3.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于：ESD掺杂注入层为P型掺杂。

4.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于：该静电放电保护装置还包括：

第一电极，与第一N+型区和第一P+型区相连接；

第二电极，与第二N+型区和第二P+型区相连接。

5.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于：静电放电保护装置的触发电压由ESD掺杂注入层的注入能量和剂量决定。

6.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于：静电放电保护装置的维持电压由ESD掺杂注入层的尺寸决定。

7.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于：该静电放电保护装置系基于外延圆片高压工艺。

8.一种静电放电保护装置，其特征在于，该装置包括：

P型基底；

氧化层，位于P型基底一侧；

第一N型阱，位于氧化层相对于P型基底的另一侧；

第一P型阱，与第一N型阱位于氧化层的同侧，并与第一N型阱相邻；

第一沟槽，位于氧化层一侧，并且与第一N型阱相邻；

第二沟槽，与第一沟槽位于氧化层的同侧，并且与第一P型阱相邻；

ESD掺杂注入层，位于P型阱与第一N型阱中；

第一N+型区，第一P+型区，位于ESD掺杂注入层中的一侧；

第二N+型区，第二P+型区，位于第一型阱中，该第一型阱位于ESD掺杂注入层外且与ESD掺杂注入层的载流子类型相反。

9.根据权利要求8所述的静电放电保护装置，其特征在于：该静电放电保护装置包括：

第一电极，与第一N+型区和第一P+型区相连接；

第二电极，与第二N+型区和第二P+型区相连接。

10.根据权利要求8所述的静电放电保护装置，其特征在于：该静电放电保护装置的触发电压由ESD掺杂注入层的注入能量和剂量决定。

11.根据权利要求8所述的静电放电保护装置，其特征在于：静电放电保护装置的维持电压由ESD掺杂注入层的尺寸决定。