[发明专利]基于强流脉冲离子束技术降低超硬多层薄膜残余应力的方法无效
申请号: | 201110299951.X | 申请日: | 2011-09-30 |
公开(公告)号: | CN102321874A | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 陈军;林莉;郝胜智;林国强;邢晶 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | C23C14/58 | 分类号: | C23C14/58;C23C16/56 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 梅洪玉 |
地址: | 116100*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 脉冲 离子束 技术 降低 多层 薄膜 残余 应力 方法 | ||
1.一种基于强流脉冲离子束技术降低超硬多层薄膜残余应力的方法,其特征在于包括如下步骤,
(1)产生强流脉冲离子束:采用聚合物阳极的单极脉冲模式外磁绝缘离子二极管产生C/H离子束:30%Cn+和70H+,根据不同薄膜采取加速电压为300~350kV,脉冲宽度为70ns,不同的束流密度和辐照次数;
(2)切割薄膜样品,利用X射线衍射技术测量薄膜样品的相结构;
(3)将样品放入辐照室,抽真空至10-3Pa;
(4)采用不同的束流密度对薄膜进行辐照处理;利用X射线衍射技术测量每次辐照前后薄膜样品的相结构;根据衍射峰的偏移量,计算薄膜样品的应力变化;
HIPIB辐照前薄膜中存在的应力为:
HIPIB辐照后薄膜中存在的应力为:
辐照前后薄膜应力的变化:
E-涂层材料的弹性模量
γ-涂层材料的泊松比
d0-涂层材料的标准晶面间距
ε-涂层的应变
根据以上计算结果,确定最优的辐照参数。
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