[发明专利]晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次形成栅极结构和位于所述栅极结构侧面的侧墙；

在所述半导体衬底上形成图案化的光刻胶层；

以所述光刻胶层、栅极结构和侧墙为掩模，在所述半导体衬底内进行轻掺杂离子注入，形成源/漏延伸区；

以所述光刻胶层、栅极结构和侧墙为掩模，在所述源/漏延伸区内进行重掺杂离子注入，形成源/漏区。

2.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述晶体管为LDMOS晶体管。

3.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述晶体管为CMOS晶体管。

4.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述晶体管的源区和漏区为非对称结构。

5.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，还包括：形成所述源/漏延伸区之后，进行退火处理。

6.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，还包括：形成所述源/漏区之后，进行退火处理。

7.如权利要求2所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述晶体管包括体引出区，所述制作方法还包括：在形成所述源/漏区之后，形成体引出区；在形成所述体引出区之后，进行退火处理。

8.如权利要求2或3所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述晶体管为N型，所述轻掺杂离子为磷离子；所述轻掺杂离子注入的能量范围包括50keV～100keV，所述轻掺杂离子注入的剂量范围包括1E13/cm²～1E14/cm²。

9.如权利要求2或3所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述晶体管为N型，所述轻掺杂离子为砷离子；所述轻掺杂离子注入的能量范围包括90keV～200keV，所述轻掺杂离子注入的剂量范围包括1E13/cm²～1E14/cm²。

10.如权利要求2或3所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述晶体管为P型，所述轻掺杂离子为硼离子；所述轻掺杂离子注入的能量范围包括12keV～35keV，所述轻掺杂离子注入的剂量范围包括1E13/cm²～1E14/cm²。

11.如权利要求2或3所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述晶体管为P型，所述轻掺杂离子为铟离子；所述轻掺杂离子注入的能量范围包括80keV～300keV，所述轻掺杂离子注入的剂量范围包括1E13/cm²～1E14/cm²。