[发明专利]晶体管的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶体管的制作方法。

背景技术

在半导体器件中，轻掺杂漏区(Lightly Doped Drain，LDD)结构是MOS(Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体)晶体管为了减弱漏区电场，以克服热载流效应(Hot carrier effect)所采取的一种结构，即在沟道中靠近漏极的附近设置一个低掺杂的漏延伸区，让该低掺杂的漏延伸区也承受部分电压，从而防止热载流效应。因此，现有的MOS晶体管制作工艺中一般都要形成LDD结构。

以下以横向扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，LDMOS)晶体管的制作为例，说明现有技术中包括LDD结构的晶体管的制作过程。

参考图1所示，提供P型的半导体衬底10；

参考图2所示，在所述半导体衬底10内形成P型的高压阱区11；

参考图3所示，在所述高压阱区11内形成P型的本体区12和N型的漂移区13，所述本体区12和所述漂移区13相连，且所述漂移区13的深度大于所述本体区12的深度；

参考图4所示，分别在所述本体区12和漂移区13中形成浅沟槽隔离结构14，其中位于所述漂移区13中的两个浅沟槽隔离结构14之间的区域界定了漏极区域；

参考图5所示，在所述半导体衬底10上形成栅极结构，所述栅极结构包括栅介电层15和栅极16；

参考图6所示，在所述半导体衬底10上形成图案化的第一光刻胶23，以所述第一光刻胶23和所述栅极结构为掩模进行轻掺杂离子注入；

参考图7所示，在本体区12内形成N型源延伸区17，且在漂移区13内形成N型漏延伸区18，所述源延伸区17和漏延伸区18组成LDD结构，且去除所述第一光刻胶23；

参考图8所示，在所述栅极结构的周围形成侧墙19；

参考图9所示，在所述半导体衬底10上形成图案化的第二光刻胶24，以所述第二光刻胶24、所述栅极结构和所述侧墙19为掩模进行重掺杂离子注入；

参考图10所示，在源延伸区17内形成N型的源区20，且在漏延伸区18内形成N型的漏区21，且去除所述第二光刻胶24；

参考图11所示，在所述本体区12内形成P型的体引出区22。

至此，得到包括LDD结构的N型LDMOS晶体管。

在漏极宽度相同的前提下，比较包括LDD结构的LDMOS晶体管和不包括LDD结构的LDMOS晶体管的电阻率，参考图12所示，可以发现：包括LDD结构的LDMOS晶体管的漏极电阻率比较小，即包括LDD结构的LDMOS晶体管漏极的串联电阻比较小。

但是在上述制作过程中，为了得到源/漏延伸区和源/漏区，需要先形成图案化的第一光刻胶23，待形成源/漏延伸区之后去除所述第一光刻胶23；然后形成侧墙19；再形成图案化的第二光刻胶24，待形成源/漏区之后去除所述第二光刻胶24，所述第一光刻胶23和所述第二光刻胶24基本相同。从而制作步骤比较复杂，LDMOS晶体管的生产成本比较高。

类似地，在其他包括LDD结构的MOS管的制作过程中，为了得到源/漏延伸区和源/漏区，也需要先后两次进行光刻胶的形成和去除步骤。

因此，如何在制作包括LDD结构的MOS管中，减少制作步骤，降低生产成本就成为本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种晶体管的制作方法，以简化步骤，节省生产成本。

为解决上述问题，本发明提供了一种晶体管的制作方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次形成栅极结构和位于所述栅极结构侧面的侧墙；

在所述半导体衬底上形成图案化的光刻胶层；

以所述光刻胶层、栅极结构和侧墙为掩模，在所述半导体衬底内进行轻掺杂离子注入，形成源/漏延伸区；

以所述光刻胶层、栅极结构和侧墙为掩模，在所述源/漏延伸区内进行重掺杂离子注入，形成源/漏区。

可选地，所述晶体管为LDMOS晶体管。

可选地，所述晶体管为CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor，互补金属氧化物半导体)晶体管。

可选地，所述晶体管的源区和漏区为非对称结构。

可选地，所述晶体管的制作方法还包括：形成所述源/漏延伸区之后，进行退火处理。