[发明专利]通过低温处理形成的UMOS半导体器件无效
| 申请号： | 201110300327.7 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102446973A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·J·普泰尔 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通过 低温 处理 形成 umos 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
半导体基板，重掺杂有第一导电类型的掺杂剂；
外延层，位于所述基板上，所述外延层被轻掺杂有所述第一导电类型的掺杂剂；
沟槽，形成在所述外延层中，所述沟槽包含包括低温介电材料的栅极绝缘层和包括低温导电材料的栅极导体；
阱区，重掺杂有第二导电类型的掺杂剂；以及
源区，重掺杂有所述第一导电类型的掺杂剂。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一导电类型的掺杂剂为n型掺杂剂，且所述第二导电类型的掺杂剂为p型掺杂剂。
3.根据权利要求1所述的器件，还包括与所述源区接触的导电源极层和与所述基板的底部接触的导电漏极层。
4.根据权利要求1所述的器件，其中，用在所述栅极绝缘层中的所述低温介电材料包括SOG材料、黑金刚石TM或珊瑚TM材料。
5.根据权利要求4所述的器件，其中，所述低温介电材料包括黑金刚石TM、珊瑚TM、或其组合。
6.根据权利要求1所述的器件，其中，用在所述栅极中的所述低温导电材料包括硅化物。
7.根据权利要求6所述的器件，其中，所述低温导电材料包括TiSi2、CoSi2、或其组合。
8.根据权利要求6所述的器件，其中，所述低温导电材料包括CoSi2。
9.一种UMOS半导体器件，包括：
半导体基板，重掺杂有第一导电类型的掺杂剂；
外延层，位于所述基板上，所述外延层被轻掺杂有所述第一导电类型的掺杂剂；
沟槽，形成在所述外延层中，所述沟槽包含包括低温介电材料的栅极绝缘层和包括低温导电材料的栅极导体；
阱区，重掺杂有第二导电类型的掺杂剂；以及
源区，重掺杂有所述第一导电类型的掺杂剂。
10.根据权利要求9所述的器件，其中，所述第一导电类型的掺杂剂为n型掺杂剂，且所述第二导电类型的掺杂剂为p型掺杂剂。
11.根据权利要求9所述的器件，还包括与所述源区接触的导电源极层和与所述基板的底部接触的导电漏极层。
12.根据权利要求9所述的器件，其中，用在所述栅极绝缘层中的所述低温介电材料包括SOG材料、黑金刚石TM或珊瑚TM材料。
13.根据权利要求12所述的器件，其中，所述低温介电材料包括黑金刚石TM、珊瑚TM、或其组合。
14.根据权利要求9所述的器件，其中，用在所述栅极中的所述低温导电材料包括硅化物。
15.根据权利要求14所述的器件，其中，所述低温导电材料包括TiSi2、CoSi2、或其组合。
16.根据权利要求15所述的器件，其中，所述低温导电材料包括CoSi2。
17.一种包含半导体器件的电子装置，包括：
电路板；以及
半导体器件，电连接至所述电路板，所述半导体器件包括：
半导体基板，重掺杂有第一导电类型的掺杂剂；
外延层，位于所述基板上，所述外延层被轻掺杂有所述第一导电类型的掺杂剂；
沟槽，形成在所述外延层中，所述沟槽包含包括低温介电材料的栅极绝缘层和包括低温导电材料的栅极导体；
阱区，重掺杂有第二导电类型的掺杂剂；以及
源区，重掺杂有所述第一导电类型的掺杂剂。
18.根据权利要求17所述的装置，其中，所述第一导电类型的掺杂剂为n型掺杂剂，且所述第二导电类型的掺杂剂为p型掺杂剂。
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