[发明专利]多栅极场效应晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201110301132.4 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103021857A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
1.一种多栅极场效应晶体管的制造方法，包括
提供一基底，在所述基底上形成鳍状结构，并在所述鳍状结构表面依次形成有栅极薄膜和硬掩膜层；
图案化所述硬掩膜层，以形成图案化的硬掩膜层，并以图案化的硬掩膜层为掩膜刻蚀所述栅极薄膜，以形成跨设于所述鳍状结构侧壁和顶部表面的栅极；
形成覆盖所述图案化的硬掩膜层、栅极和鳍状结构的间隔层；
进行化学机械研磨工艺，直至暴露所述图案化的硬掩膜层的顶面；
进行回刻蚀工艺，直至暴露所述图案化的硬掩膜层的全部侧面；
形成覆盖所述图案化的硬掩膜层和间隔层的阻挡层；
刻蚀所述阻挡层，以在所述图案化的硬掩膜两侧形成自对准阻挡掩膜；
以所述自对准阻挡掩膜为硬掩膜，刻蚀所述间隔层以形成自对准间隔侧墙；
去除所述自对准阻挡掩膜和图案化的硬掩膜层。
2.如权利要求1所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，在去除所述自对准阻挡掩膜和图案化的硬掩膜层的步骤之后，还包括：进行离子注入工艺，以在所述鳍状结构位于所述栅极两侧的端部分别形成源极区和漏极区。
3.如权利要求1或2所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述基底为绝缘体上硅基底。
4.如权利要求3所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述绝缘体上硅基底包括硅衬底、位于所述硅衬底上的埋氧绝缘层以及位于所述埋氧绝缘层上的半导体层。
5.如权利要求1或2所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述鳍状结构的高度为30nm～100nm，所述鳍状结构的宽度为10nm～25nm。
6.如权利要求1或2所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述间隔层的材料为氮化硅、氮氧化硅或氮化硅的一种或其组合。
7.如权利要求6所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述间隔层包括氧化层和位于所述氧化层上的氮化层。
8.如权利要求1或2所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述自对准间隔侧墙的厚度为30nm～100nm。
9.如权利要求1或2所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为氮氧化硅、钛、氮化钛、钽或氮化钽中的一种或其组合。
10.如权利要求1或2所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜层的厚度为50埃～200埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
