[发明专利]分割方法有效
申请号: | 201110301306.7 | 申请日: | 2011-09-28 |
公开(公告)号: | CN102446735A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 星野仁志;上野宽海;新田祐士;冈村卓 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 党晓林;王小东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分割 方法 | ||
1.一种蓝宝石晶片的分割方法,其为沿分割预定线分割蓝宝石晶片的蓝宝石晶片的分割方法,所述蓝宝石晶片在表面上层叠有发光层,并且在该发光层中,在由呈格子状地形成的多个所述分割预定线划分出的各区域形成有发光器件,该蓝宝石晶片的分割方法的特征在于,
该蓝宝石晶片的分割方法包括以下工序:
变质层形成工序,在该变质层形成工序中,通过从所述蓝宝石晶片的背面侧沿所述分割预定线照射相对于蓝宝石晶片具有透射性的波长的激光束,从而沿该分割预定线在蓝宝石晶片内部形成变质层;
切削槽形成工序,在该切削槽形成工序中,利用切削刀具从所述蓝宝石晶片的背面侧切削该蓝宝石晶片,从而沿所述分割预定线形成切削槽,由此对所述发光器件实施倒角加工;以及
分割工序,在该分割工序中,在实施了所述变质层形成工序和所述切削槽形成工序后,以所述变质层作为分割起点,沿所述分割预定线将所述蓝宝石晶片分割为一个个的发光器件。
2.根据权利要求1所述的蓝宝石晶片的分割方法,其中,
在所述切削槽形成工序之前还包括预备槽形成工序,在该预备槽形成工序中,通过对所述蓝宝石晶片照射相对于该蓝宝石晶片具有吸收性的波长的激光束来实施烧蚀加工,从而从所述蓝宝石晶片的背面侧沿所述分割预定线形成预备槽。
3.根据权利要求1所述的蓝宝石晶片的分割方法,其中,
在实施了所述切削槽形成工序后,实施所述变质层形成工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造