[发明专利]分割方法有效
申请号: | 201110301306.7 | 申请日: | 2011-09-28 |
公开(公告)号: | CN102446735A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 星野仁志;上野宽海;新田祐士;冈村卓 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 党晓林;王小东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分割 方法 | ||
技术领域
本发明涉及将发光器件用晶片分割为一个个发光器件的分割方法,特别涉及到分割蓝宝石晶片的分割方法。
背景技术
作为发光二极管(LED:Light Emitting Diode)等发光器件,已知在蓝宝石层的表面层叠发光层而成的发光器件(例如,参考专利文献1)。该发光器件通过将在蓝宝石基板的表面层叠有发光层的一块蓝宝石晶片沿分割预定线分割为多份而被制造出来。作为该蓝宝石晶片等发光器件晶片的分割方法,已知采用激光加工的分割方法(例如,参考专利文献2、专利文献3)。
专利文献2记载的分割方法为,利用脉冲激光束在晶片表面形成沿着分割预定线的激光加工槽,通过对激光加工槽施加外力来分割晶片。此外,专利文献3记载的分割方法为,利用具有透射性的脉冲激光束在晶片内部形成沿着分割预定线的连续的变质层,通过对强度降低了的变质层施加外力来分割晶片。
专利文献1:日本特开平10-056203号公报
专利文献2:日本特开平10-305420号公报
专利文献3:日本专利第3408805号公报
另外,在上述的发光器件中,由发光层放射到蓝宝石层的光线从蓝宝石层射出到空气中。然而,由于蓝宝石的折射率比空气大得多,因此存在着光线无法高效地从蓝宝石层射出的问题。这是因为,当光线相对于蓝宝石层-空气边界的入射角大于临界角度(34.5°)时,在该边界发生全反射,从而光线被封闭在蓝宝石层中。
发明内容
本发明正是鉴于该情况而作出的,其目的在于提供一种分割方法,能够提高通过蓝宝石晶片的分割而形成的发光器件的辉度。
本发明的分割方法提供一种蓝宝石晶片的分割方法,其为沿分割预定线分割蓝宝石晶片的蓝宝石晶片的分割方法,所述蓝宝石晶片在表面上层叠有发光层,并且在该发光层中,在由呈格子状地形成的多个所述分割预定线划分出的各区域形成有发光器件,该蓝宝石晶片的分割方法包括以下工序:变质层形成工序,在该变质层形成工序中,通过从所述蓝宝石晶片的背面侧沿所述分割预定线照射相对于蓝宝石晶片具有透射性的波长的激光束,从而沿该分割预定线在蓝宝石晶片内部形成变质层;切削槽形成工序,在该切削槽形成工序中,利用切削刀具从所述蓝宝石晶片的背面侧切削该蓝宝石晶片,从而沿所述分割预定线形成切削槽,由此对所述发光器件实施倒角加工;以及分割工序,在该分割工序中,在实施了所述变质层形成工序和所述切削槽形成工序后,以所述变质层作为分割起点,沿所述分割预定线将所述蓝宝石晶片分割为一个个的发光器件。
根据该结构,通过在切削槽形成工序中沿分割预定线在蓝宝石晶片形成切削槽,从而对在分割工序中分割蓝宝石晶片而形成的一个个的发光器件的角部进行倒角。通过该倒角来在发光器件的背面侧形成多边形状的外形面,从而在器件内被反射的光线容易射出,能够提高发光器件的辉度。另外,此处所谓的倒角并不限于将发光器件的角部加工成斜面状的情况,也可以将角部加工成能够抑制角度保持(角度保存)的形状,例如曲面形状。
优选的是,本发明的分割方法在所述切削槽形成工序之前还包括预备槽形成工序,在该预备槽形成工序中,通过照射激光束来实施烧蚀加工,从而从所述蓝宝石晶片的背面侧沿所述分割预定线形成预备槽。
此外,本发明为,在上述分割方法中,在通过所述切削槽形成工序形成了所述切削槽后,通过所述变质层形成工序形成所述变质层。
根据本发明,通过在作为分割起点的分割预定线上形成切削槽,并将蓝宝石晶片分割为一个个的发光器件,能够使来自各器件的发光层的光线容易射出到外部,从而能够使辉度提高。
附图说明
图1是示出本发明涉及的分割方法的实施方式的图,是切削装置的立体图。
图2是示出本发明涉及的分割方法的实施方式的图,是激光加工装置的立体图。
图3是示出本发明涉及的分割方法的实施方式的图,是带扩张装置的立体图。
图4是示出本发明涉及的分割方法的实施方式的图,是发光器件的侧视图。
图5是示出本发明涉及的分割方法的实施方式的图,是分割方法的说明图。
图6是示出本发明涉及的分割方法的实施方式的图,是刀具宽度与激光点直径的关系的说明图。
图7是示出本发明涉及的分割方法的实施方式的图,是切削刀具的刀具宽度与辉度的关系的说明图。
图8是示出本发明涉及的分割方法的变形例的图,是分割方法的说明图。
图9是示出本发明涉及的分割方法的另一变形例的图,是分割方法的说明图。
标号说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造