[发明专利]能够提高雪崩耐量能力的超结器件结构有效
| 申请号： | 201110301464.2 | 申请日： | 2011-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN103035634A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 胡晓明;刘梅 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 能够 提高 雪崩 能力 器件 结构 | ||
1.一种能够提高雪崩耐量能力的超结器件结构，其特征在于：包括超结器件的元胞区域、终端，终端设置于元胞区域的外围；在超结器件的元胞区域中，元胞沟槽的顶层覆盖有元胞体注入区，多块元胞N型离子注入区覆盖于元胞体注入区内的部分区域；元胞N型离子注入区的顶层覆盖有元胞源区接触孔，元胞源区接触孔为长条形，元胞源区接触孔沿元胞N型离子注入区的长度方向延伸。
2.根据权利要求1所述的能够提高雪崩耐量能力的超结器件结构，其特征在于：在所述元胞源区接触孔的长度方向，元胞源区接触孔全部覆盖元胞N型离子注入区，且覆盖元胞体注入区的部分区域。
3.根据权利要求1或2所述的能够提高雪崩耐量能力的超结器件结构，其特征在于：在所述元胞源区接触孔的宽度方向，元胞源区接触孔覆盖两块元胞N型离子注入区之间的元胞体注入区，以及两块元胞N型离子注入区的边缘区域。
4.根据权利要求1所述的能够提高雪崩耐量能力的超结器件结构，其特征在于：所述终端的保护环包括多根长条形P型沟槽，沟槽在四个角落变成圆弧形状，各根P型沟槽的宽度等于元胞区域中的P型元胞沟槽的宽度。
5.根据权利要求3所述的能够提高雪崩耐量能力的超结器件结构，其特征在于：通过所述元胞源区接触孔进行P型重掺杂注入，在元胞源区接触孔与元胞体注入区接触的表面形成欧姆接触。
6.根据权利要求5所述的能够提高雪崩耐量能力的超结器件结构，其特征在于：所述P型重掺杂注入的浓度低于元胞N型离子注入区的注入浓度。
7.根据权利要求6所述的能够提高雪崩耐量能力的超结器件结构，其特征在于：所述P型重掺杂注入通过多次注入而实现，使欧姆接触的表面浓度小于底部浓度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
