[发明专利]非易失性存储器件和非易失性存储器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110302115.2 | 申请日： | 2011-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102456834A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 角野润 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 制造 方法 | ||
1.一种非易失性存储器件，所述非易失性存储器件层叠有第一电极、具有正的珀尔帖系数的第一材料层、信息存储层、具有负的珀尔帖系数的第二材料层和第二电极。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述第一材料层是由p型热电材料制成的，所述第二材料层是由n型热电材料制成的。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，形成所述第一电极的材料与形成所述第二电极的材料是不同的。
4.根据权利要求3所述的非易失性存储器件，其中，形成所述第一电极的材料的塞贝克系数与形成所述第二电极的材料的塞贝克系数是不同的。
5.根据权利要求3所述的非易失性存储器件，其中，
形成所述第一电极的材料是选自银、金、铜、铅、钯、铂、钛、氮化钛和钨的材料，并且
形成所述第二电极的材料是选自银、金、铜、铅、钯、铂、钛、氮化钛和钨的材料。
6.根据权利要求1或2所述的非易失性存储器件，其中，所述信息存储层包括电阻变化层，所述电阻变化层通过电阻值的变化来存储信息。
7.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中，所述电阻变化层包括含有金属的离子型导体。
8.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中，所述电阻变化层是由硫族化物材料制成的。
9.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中，所述电阻变化层是由具有巨电致电阻效应的材料制成的。
10.一种非易失性存储器件的制造方法，所述制造方法包括在基板上顺次形成第一电极、具有正的珀尔帖系数的第一材料层、信息存储层、具有负的珀尔帖系数的第二材料层和第二电极。
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