[发明专利]用于半导体装置的粘合剂膜

权利要求书

1.一种用于半导体装置的粘合剂膜，包括在0℃至5℃下具有50μm/m·℃至150μm/m·℃的线性膨胀系数的基膜。

2.根据权利要求1所述的粘合剂膜，其中所述基膜在5℃下放置120小时后具有大于0且小于等于0.1％的热收缩率。

3.根据权利要求1所述的粘合剂膜，其中所述基膜包括以下至少一种：聚烯烃膜，包括聚乙烯、聚丙烯、乙烯/丙烯共聚物、聚1-丁烯、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯/苯乙烯丁二烯橡胶混合物；聚氯乙烯；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、聚萘二酸乙二醇酯、聚酯砜、聚苯乙烯、聚丙烯酸酯；和热塑性弹性体，包括聚氨酯和聚酰胺-多元醇共聚物。

4.根据权利要求1所述的粘合剂膜，进一步包括：在所述基膜一面上的压敏粘合剂层。

5.根据权利要求4所述的粘合剂膜，其中所述压敏粘合剂层包括压敏粘合粘结剂、热固化剂和光引发剂。

6.根据权利要求5所述的粘合剂膜，其中所述压敏粘合粘结剂具有100,000至1,000,000的重均分子量。

7.根据权利要求4所述的粘合剂膜，进一步包括：依次堆叠在所述压敏粘合剂层一面上的粘结层和保护膜。

8.根据权利要求7所述的粘合剂膜，其中所述粘合剂膜在5℃下放置120小时后具有大于0且小于等于0.2％的热收缩率。

9.根据权利要求7所述的粘合剂膜，其中所述粘结层包括丙烯酸树脂和环氧树脂。

10.根据权利要求9所述的粘合剂膜，其中所述丙烯酸树脂具有-30℃至10℃的玻璃化转变温度，且所述环氧树脂为双酚-A环氧树脂、线型酚醛环氧树脂或甲酚醛环氧树脂。