[发明专利]用于半导体装置的粘合剂膜

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于半导体装置的粘合剂膜。更具体地，本发明涉及一种用于半导体装置的粘合剂膜，所述粘合剂膜在低温下储存较长时间后稳定地保持卷绕形状。

背景技术

通常，已将银浆用于使半导体装置粘结在一起，或者用于将半导体装置粘结到支撑元件上。为了跟上半导体装置向更小且更高容量的趋势，用于半导体装置的支撑元件也正在变得更小且更精密。

已得到广泛应用的银浆会泄漏或导致半导体装置倾斜。因此，在引线焊接过程中Ag浆会导致故障、气泡产生和厚度控制困难。近来，粘结膜已广泛用作这种银浆的替代品。

用于半导体组装的粘合剂膜通常与切片膜组合使用。切片膜在半导体芯片制造的切片工艺中用于固定半导体晶圆。切片工艺是将半导体晶圆切成单个芯片的工艺，且紧随有后续工艺如延展、拾取和贴装。

切片膜通过将UV固化粘合剂或可固化的粘合剂涂布至具有聚烯烃结构的下层膜，并对其贴附PET覆盖膜形成。

用于半导体组装的常用粘合剂膜按如下使用。将粘结膜贴附至半导体晶圆上，然后在其上沉积具有以上构造的切片膜，略去覆盖膜，随后将晶圆切成单个芯片。近来，作为用于切片芯片焊接的半导体组装粘合剂，略去PET覆盖膜的切片膜和将粘结膜堆叠成单个膜，且半导体晶圆沉积于其上，随后将晶圆切成单个芯片。

图1是表示基膜因热收缩产生的倾斜的透视图。

参照图1，用于半导体组装的基膜14或粘结带(膜)通常在5℃或更低的温度下围绕卷轴12卷绕，并在使用前于低温下长期储存。然而，基膜由于在低温下因热损坏而热收缩，从而当基膜在低温下储存较长时间时，在基膜中产生空隙。

因此，用于半导体组装的粘结带趋向于在其移动和运行期间按一个方向倾斜。也就是说，如图1所示，绕卷轴12卷绕的用于半导体组装的基膜或粘结带14可能从一侧移动至另一侧(按箭头方向)，使得圆形的晶圆在预切割型贴装过程中不能贴附到适当位置。

发明内容

本发明的一个方面提供了一种用于半导体装置的粘合剂膜，所述粘合剂膜在低温下长时间储存期间保持卷绕形式的稳定性。

所述用于半导体装置的粘合剂膜包括在0℃至5℃下具有50μm/m·℃至150μm/m·℃的线性膨胀系数的基膜。

所述基膜在5℃放置120小时后可具有大于0且小于等于0.1％的热收缩率。

所述基膜可包括以下至少一种：聚烯烃膜，如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯/丙烯共聚物、聚1-丁烯、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯/苯乙烯丁二烯橡胶混合物；聚氯乙烯；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚酰亚胺(PI)、聚萘二酸乙二醇酯(PEN)、聚酯砜、聚苯乙烯(PS)、聚丙烯酸酯(PAR)；和热塑性弹性体，如聚氨酯、聚酰胺-多元醇共聚物等。

所述用于半导体装置的粘合剂膜可进一步包括在所述基膜一面上的压敏粘合剂层。

所述压敏粘合剂层可包括压敏粘合粘结剂、热固化剂和光引发剂。

具体地，所述压敏粘合粘结剂可具有100,000至1,000,000的重均分子量。

所述用于半导体装置的粘合剂膜可进一步包括依次堆叠在所述压敏粘合剂层一面上的粘结层和保护膜。

所述粘合剂膜在5℃放置120小时后可具有大于0且小于等于0.2％的热收缩率。

所述粘结层可包括丙烯酸树脂和环氧树脂。

具体地，所述丙烯酸树脂可具有-30℃至10℃的玻璃化转变温度，且所述环氧树脂可为双酚-A环氧树脂、线型酚醛环氧树脂或甲酚醛环氧树脂。

附图说明

由以下结合附图的详细说明，本发明的以上和其它方面、特征和优点将变得明显，其中：

图1是表示基膜因热收缩产生的倾斜的透视图；

图2是表示热收缩率的概念的截面图；

图3是表示根据一个示例性实施方式的用于半导体装置的粘合剂膜的截面图；

图4是粘合剂膜的区域图，表示卷绕形状稳定性的评价方法；

图5是从图4的箭头A方向的粘合剂膜的侧视图；且

图6是从图4的箭头B方向看到的粘合剂膜的侧视图。

具体实施方式

现将参照附图详细说明本发明的实施方式。