[发明专利]烧成膜及其制造方法、以及输送载体及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110303850.5 申请日: 2011-09-28
公开(公告)号: CN102532995A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 冲和宏;作山弘 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: C09D11/10 分类号: C09D11/10;B41M1/12;H05K3/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 朴秀玉
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 烧成 及其 制造 方法 以及 输送 载体
【权利要求书】:

1.一种烧成膜的制造方法,其特征在于,包含:

涂膜形成工序,其在基板上丝网印刷含有至少包含聚二甲基硅氧烷的聚二甲基硅氧烷组合物且在25℃下的粘度为10Pa·s~200Pa·s的涂布液,形成平均厚度100μm以上的涂膜;和

烧成工序,其烧成所述涂膜。

2.根据权利要求1所述的烧成膜的制造方法,其中,

涂膜的平均厚度为100μm以上150μm以下。

3.根据权利要求1所述的烧成膜的制造方法,其中,

涂布液在25℃下的粘度D和涂膜的平均厚度T满足下式:1≤T/D≤20。

4.根据权利要求1所述的烧成膜的制造方法,其中,

涂布液含有无机粒子。

5.根据权利要求1所述的烧成膜的制造方法,其中,

基板为铝基板。

6.根据权利要求1所述的烧成膜的制造方法,其中,

基板为耐热性树脂膜。

7.一种烧成膜,其特征在于,

所述烧成膜是通过下述的烧成膜的制造方法制造的,所述烧成膜的制造方法包含:

涂膜形成工序,其在基板上丝网印刷含有至少包含聚二甲基硅氧烷的聚二甲基硅氧烷组合物且在25℃下的粘度为10Pa·s~200Pa·s的涂布液,从而形成平均厚度100μm以上的涂膜;和

烧成工序,其烧成所述涂膜。

8.根据权利要求7所述的烧成膜,其中,

烧成膜为导电性膜、绝缘性膜及粘性膜中的任一种。

9.一种输送载体的制造方法,其特征在于,包含:

孔部或者凹部形成工序,其在基板的至少一部分形成孔部或者凹部;

涂膜形成工序,其在将所述孔部或者凹部用设置于丝网版的掩模覆盖后,丝网印刷含有至少包含聚二甲基硅氧烷的聚二甲基硅氧烷组合物的涂布液,从而形成涂膜;和

烧成工序,其烧成所述涂膜。

10.根据权利要求9所述的输送载体的制造方法,其中,

孔部或者凹部的表面积A和覆盖该孔部或者凹部的设置于丝网版的掩模的表面积B满足下式:B/A≥0.9~1.1。

11.根据权利要求10所述的输送载体的制造方法,其中,

孔部或者凹部的表面积A和覆盖该孔部或者凹部的设置于丝网版的掩模的表面积B满足下式:B/A≥1~1.05。

12.根据权利要求9所述的输送载体的制造方法,其中,

孔部或者凹部的平面形状为圆形状及四方形状中的任一种。

13.根据权利要求9所述的输送载体的制造方法,其中,包含:

在基板上形成孔部或者凹部后,清洗该基板的基板清洗工序。

14.一种输送载体,其特征在于,

所述输送载体是通过下述的输送载体的制造方法制造的,所述输送载体的制造方法包含:

孔部或者凹部形成工序,其在基板的至少一部分形成孔部或者凹部;

涂膜形成工序,其在将所述孔部或者凹部用设置于丝网版的掩模覆盖后,丝网印刷含有至少包含聚二甲基硅氧烷的聚二甲基硅氧烷组合物的涂布液,从而形成涂膜;和

烧成工序,其烧成所述涂膜。

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