[发明专利]相位内插电路无效

专利信息
申请号: 201110304074.0 申请日: 2011-09-29
公开(公告)号: CN103036535A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 黄辰玮 申请(专利权)人: 凌阳科技股份有限公司
主分类号: H03K5/13 分类号: H03K5/13
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 相位 内插 电路
【权利要求书】:

1.一种相位内插电路,包括:

一第一复用器,接收多个偶次项信号;

一第二复用器,接收多个奇次项信号;

一内插器,通过该第一复用器接收由所述偶次项信号的其一所构成的一第一参考信号,并通过该第二复用器接收由所述奇次项信号的其一所构成的一第二参考信号,且该内插器依据一数字控制信号将该第一参考信号与该第二参考信号之间的相位差划分成多个子相位,并选择所述子相位的其一以产生一差动输入信号;以及

一工作周期修正器,调整该差动输入信号的工作周期,以产生工作周期为50%的一差动输出信号。

2.根据权利要求1所述的相位内插电路,其中该第一复用器从所述偶次项信号中选出两偶次项信号,且该内插器从所选出的两偶次项信号中择一作为该第一参考信号,该第二复用器从所述奇次项信号中选出两奇次项信号,且该内插器从所选出的该两奇次项信号中择一作为该第二参考信号。

3.根据权利要求1所述的相位内插电路,其中该内插器包括:

一偏压产生单元,依据该数字控制信号产生多个第一偏压,并依据该数字控制信号的补码产生多个第二偏压;

一电流源,接收所述第一偏压与所述第二偏压,并据以产生一第一电流与一第二电流;

一负载单元;以及

一输入单元,电性连接在该负载单元与该电流源之间,并依据该第一参考信号与该第二参考信号切换该第一电流与该第二电流导通至该负载单元的路径,以产生该差动输入信号。

4.根据权利要求3所述的相位内插电路,其中该偏压产生单元包括:

多个第一P型晶体管,其中所述第一P型晶体管的源极接收一电源电压,所述第一P型晶体管的栅极接收该数字控制信号,所述第一P型晶体管的漏极产生所述第一偏压;

多个第二P型晶体管,其中所述第二P型晶体管的源极电性连接所述第一P型晶体管的漏极,所述第二P型晶体管的栅极接收一第一固定电压,所述第二P型晶体管的漏极电性连接至一接地端;

多个第三P型晶体管,其中所述第三P型晶体管的源极接收该电源电压,所述第三P型晶体管的栅极接收该数字控制信号的补码,所述第三P型晶体管的漏极产生所述第二偏压;以及

多个第四P型晶体管,其中所述第四P型晶体管的源极电性连接所述第三P型晶体管的漏极,所述第四P型晶体管的栅极接收该第一固定电压,所述第四P型晶体管的漏极电性连接至该接地端。

5.根据权利要求4所述的相位内插电路,其中该电流源包括:

多个第一N型晶体管,其中所述第一N型晶体管的漏极电性连接该输入单元,所述第一N型晶体管的栅极电性连接所述第一P型晶体管的漏极,所述第一N型晶体管的源极电性连接至该接地端;以及

多个第二N型晶体管,其中所述第二N型晶体管的漏极电性连接该输入单元,所述第二N型晶体管的栅极电性连接所述第三P型晶体管的漏极,所述第二N型晶体管的源极电性连接至该接地端。

6.根据权利要求5所述的相位内插电路,其中该输入单元包括:

一第三N型晶体管,其中该第三N型晶体管的漏极电性连接该负载单元,该第三N型晶体管的栅极接收该第一参考信号,该第三N型晶体管的源极电性连接所述第一N型晶体管的漏极;

一第四N型晶体管,其中该第四N型晶体管的漏极电性连接该负载单元,该第四N型晶体管的栅极接收该第一参考信号的反相信号,该第四N型晶体管的源极电性连接所述第一N型晶体管的漏极;

一第五N型晶体管,其中该第五N型晶体管的漏极电性连接该负载单元,该第五N型晶体管的栅极接收该第二参考信号,该第五N型晶体管的源极电性连接所述第二N型晶体管的漏极;以及

一第六N型晶体管,其中该第六N型晶体管的漏极电性连接该负载单元,该第六N型晶体管的栅极接收该第二参考信号的反相信号,该第六N型晶体管的源极电性连接所述第二N型晶体管的漏极。

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